长鑫存储技术有限公司邓杰芳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利图像传感器及图像传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310511195.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及图像传感器的制备方法是由邓杰芳设计研发完成，并于2023-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及图像传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种图像传感器及图像传感器的制备方法，图像传感器的制备方法包括：在衬底的第一面形成有源区、光电转换区、以及隔离有源区和光电转换区的第一隔离结构；在衬底的第一面上形成读出电路；从衬底的第二面减薄衬底，直到露出N型区；从衬底的第二面刻蚀N型区，以形成与P型区对应的多个环状沟槽和多个第二N型柱，并在多个环状沟槽内填充第二隔离结构；其中，多个第二N型柱与多个第一N型柱一一对应且相互接触。这样，在同样面积的光电转换区中可以设置更多的光电二极管，从而提高图像传感器的像素密度。同时，电容器可以具有更大的电容，进而，能够提高图像传感器的动态范围。
本发明授权图像传感器及图像传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底的第一面形成有源区、光电转换区、以及隔离所述有源区和所述光电转换区的第一隔离结构；其中，所述光电转换区包括N型区和设置在所述N型区中的P型区；所述P型区包括相互连接的多个环状结构；所述N型区包括位于每个所述环状结构中的第一N型柱； 在所述衬底的第一面上形成读出电路；其中，所述读出电路包括位于所述第一N型柱上的垂直沟道晶体管、设置在所述有源区上的多个平面晶体管、以及位于所述垂直沟道晶体管和多个所述平面晶体管的远离所述衬底的一侧的电容器； 从所述衬底的第二面减薄所述衬底，直到露出所述N型区；其中，所述第二面与所述第一面相对； 从所述衬底的第二面刻蚀所述N型区，以形成与所述P型区对应的多个环状沟槽和多个第二N型柱，并在所述多个环状沟槽内填充第二隔离结构；其中，所述多个第二N型柱与所述多个第一N型柱一一对应且相互接触。
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