中国科学院微电子研究所杨冠华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维动态随机存取存储器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119012692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411064219.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维动态随机存取存储器阵列及其制备方法是由杨冠华;廖福锡;李泠设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维动态随机存取存储器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法，涉及半导体技术领域，解决了现有的3DDRAM方案集成密度较低的技术问题。该三维动态随机存取存储器阵列的制备方法包括如下步骤：依次形成多个垂直堆叠的叠层；在多个垂直堆叠的叠层上形成沿着第一水平方向间隔分布的凹槽，并且在相邻的凹槽之间的多个垂直堆叠的叠层上形成通孔；在通孔中形成牺牲层，并且沿着第一水平方向分别横向刻蚀第一电极层和第二电极层以分别将第一电极层和第二电极层在牺牲层处分离；在凹槽内形成隔离层并祛除牺牲层，留下通孔；氧化第一金属层在通孔处的侧壁，形成栅介质；以及在通孔内依次形成沟道层、沟道钝化层和字线层。
本发明授权一种三维动态随机存取存储器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 依次形成多个垂直堆叠的叠层，其中，每个叠层依次包括第一电极层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二电极层和第三介质层； 在所述多个垂直堆叠的叠层上形成沿着第一水平方向间隔分布的凹槽，并且在相邻的所述凹槽之间的所述多个垂直堆叠的叠层上形成通孔； 在所述通孔中形成牺牲层，并且沿着第一水平方向分别横向刻蚀所述第一电极层和所述第二电极层以分别将所述第一电极层和所述第二电极层在所述牺牲层处分离； 在所述凹槽内形成隔离层并祛除所述牺牲层，留下所述通孔； 氧化所述第一金属层在所述通孔处的侧壁，形成栅介质；以及在所述通孔内依次形成沟道层、沟道钝化层和字线层。
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