中国科学院微电子研究所杨冠华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119012693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411064226.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法是由杨冠华;廖福锡;李泠设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法，涉及半导体技术领域，解决了现有的3DDRAM结构在高集成密度下所面临的稳定性问题。该三维动态随机存取存储器阵列的制备方法包括如下步骤：依次形成多个垂直堆叠的叠层；在所述多个垂直堆叠的叠层中形成多行沿着第一水平方向交替布置的通孔和第一隔离层；沿着第二水平方向分别刻蚀所述通孔之间的所述第一介质层和所述第二介质层以分别形成沟道区域和隔离区域；形成第三介质层；在部分填充后的所述沟道区域和所述隔离区域处分别形成沟道层和第二隔离层以及在所述位线通孔和所述电容通孔内分别形成位线和电容。
本发明授权一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维动态随机存取存储器阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 依次形成多个垂直堆叠的叠层，其中，每个叠层依次包括第一电极层、第一介质层、第二电极层和第二介质层，所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度； 在所述多个垂直堆叠的叠层中形成多行沿着第一水平方向交替布置的通孔和第一隔离层，其中，所述通孔沿着第二水平方向与所述叠层交替布置，所述第一水平方向和所述第二水平方向相互垂直，所述通孔包括沿着第二水平方向交替布置位线通孔和电容通孔； 沿着第二水平方向分别刻蚀所述通孔之间的所述第一介质层和所述第二介质层以分别形成沟道区域和隔离区域； 形成第三介质层，其中，所述第三介质层包裹性覆盖刻蚀后的所述多个垂直堆叠的叠层的表面，并且所述第三介质层部分填充所述沟道区域和所述隔离区域； 在部分填充后的所述沟道区域和所述隔离区域处分别形成沟道层和第二隔离层以及在所述位线通孔和所述电容通孔内分别形成位线和电容。
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