三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社张鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119028941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411148891.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由张鹏设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构，包括：支撑基底；芯片堆叠体，位于支撑基底的中心区域上并且包括多个芯片；第一接头，在支撑基底的第一边缘区域上，第一再布线层在第一接头上；第二接头，在支撑基底的与第一边缘区域相对的第二边缘区域上，第二再布线层在第二接头上；键合引线，将多个芯片分别电连接到第一再布线层和第二再布线层；虚设芯片，位于芯片堆叠体上；以及包封层，封装芯片堆叠体、虚设芯片、第一接头、第二接头和键合引线，其中，虚设芯片的上表面与包封层的上表面共面，外部连接端子在第一再布线层和第二再布线层上。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 支撑基底； 芯片堆叠体，位于所述支撑基底的中心区域上并且包括堆叠在所述支撑基底上的多个芯片； 第一接头，在所述支撑基底的第一边缘区域上，第一再布线层在所述第一接头的上表面上； 第二接头，在所述支撑基底的第二边缘区域上，所述第二边缘区域与所述第一边缘区域相对，第二再布线层在所述第二接头的上表面上； 键合引线，将所述多个芯片分别电连接到所述第一再布线层和所述第二再布线层； 虚设芯片，位于所述芯片堆叠体上；以及包封层，在所述支撑基底上，所述包封层至少部分地封装所述芯片堆叠体、所述虚设芯片、所述第一接头、所述第二接头和所述键合引线，其中，所述虚设芯片的上表面与所述包封层的上表面共面，并且外部连接端子至少部分地被所述包封层暴露，所述外部连接端子分别在所述第一再布线层上和所述第二再布线层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社，其通讯地址为：215021 江苏省苏州市工业园区凤里街337号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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