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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种TOPCon太阳能电池及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411264213.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种TOPCon太阳能电池及其制备工艺是由许欢设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TOPCon太阳能电池及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种TOPCon太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：对硅片清洗并进行制绒；分别对制绒后的硅片的背面和正面进行硼扩散；去除硅片正面和背面的BSG层，对硅片背面进行碱抛处理，并在硅片背面上依次沉积隧穿层和非晶硅钝化层；对硅片背面的非晶硅进行管式磷扩散；去除硅片正面和背面的PSG层，并在硅片正面上沉积氧化铝钝化层；在硅片正面和背面分别沉积减反射层；在硅片的正面和背面丝网印刷金属电极和图形；对硅片进行烧结和光注入；对硅片进行激光诱导烧结处理；进行测试和分选。本发明通过对光注入后的硅片进行激光诱导烧结处理，省去了SE掺杂工艺，简化工艺流程，节省了生产成本，降低了对硅基体的损伤，增加了太阳能电池的转化效率。

本发明授权一种TOPCon太阳能电池及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺由以下步骤组成： 1对硅片清洗并进行制绒； 2分别对制绒后的硅片的背面和正面进行硼扩散； 3去除硅片正面和背面的硼硅玻璃BSG层，对硅片背面进行碱抛处理，并在硅片背面上依次沉积隧穿层和非晶硅钝化层； 4对硅片背面的非晶硅进行管式磷扩散； 5去除硅片正面和背面的磷硅玻璃PSG层，并在硅片正面上沉积氧化铝钝化层； 6在硅片正面和背面分别沉积减反射层； 7在硅片的正面和背面丝网印刷金属电极和图形； 8对硅片进行烧结，然后进行光注入； 9在850～950℃对硅片进行激光诱导烧结处理； 10对TOPCon太阳能电池进行测试和分选； 其中，所述步骤9中，激光波长为500～600nm； 所述步骤2中，对制绒后的硅片背面进行硼扩散时，扩散温度控制在820~1050℃之间，表面浓度控制在5.2×1019cm‑3～5.5×1019cm‑3之间，节深控制在0.2～0.28um之间，方阻控制在155～175Ωsqr之间；对制绒后的硅片正面进行硼扩散时，表面浓度控制在4.8×1018cm‑3～5.1×1019cm‑3之间，节深控制在0.62～0.67um之间，方阻控制在280～340Ωsqr之间； 所述步骤3中，非晶硅钝化层的厚度为120～180nm； 所述步骤4中，对硅片背面的非晶硅进行管式磷扩散时，扩散温度控制在800~900℃之间，表面浓度控制在1.5×1020cm‑3～2.2 ×1020cm‑3 之间，节深控制在0.18～0.2um之间，方阻控制在40～60Ωsqr之间。

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