上海天马微电子有限公司张东莉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天马微电子有限公司申请的专利一种阵列基板和微流控装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119114174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411170639.4，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种阵列基板和微流控装置是由张东莉;章凯迪;林柏全;王林志;席克瑞设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板和微流控装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供阵列基板和微流控装置，阵列基板包括加热电路及加热电极，加热电路包括第一晶体管。第一晶体管包括第一电极、第二电极和半导体部，半导体部包括P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层包括第一部分和第二部分，第一部分与第一电极接触且第二部分与第一电极不接触，第二电极与N型半导体层接触；加热电极与第一电极或第二电极电连接。其中，第一晶体管还包括控制电极，控制电极与第二部分交叠且控制电极与第二部分之间包括绝缘层。本申请提供的第一晶体管可以向加热电极输出具有低电压、高电流特征的电信号，该特性有助于实现在加热电极可以产生较大热量的前提下，减少加热电极对阵列基板控制液滴移动过程的干扰。
本发明授权一种阵列基板和微流控装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括加热电路及加热电极，所述加热电路包括第一晶体管； 所述第一晶体管包括第一电极、第二电极和半导体部，所述半导体部包括P型半导体层和N型半导体层；所述P型半导体层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第一电极接触且所述第二部分与所述第一电极不接触，所述第二电极与所述N型半导体层接触；所述加热电极与所述第一电极或所述第二电极电连接； 其中，所述第一晶体管还包括控制电极，所述控制电极与所述第二部分交叠且所述控制电极与所述第二部分之间包括绝缘层。
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