山西中科潞安紫外光电科技有限公司郭凯获国家专利权
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龙图腾网获悉山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请的专利紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411309807.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件是由郭凯;李开心;徐广源;俄文文;李超;李晋闽设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件，属于半导体技术领域。包括从下至上依次生长的衬底、AlN层、n型电子传输层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型空穴传输层和p型接触层；p型空穴传输层包括至少一组极性变化层和金属极性层，极性变化层包括极性渐变层和生长于极性渐变层上的极性反转层，金属极性层生长于最上面的极性变化层的极性反转层上，极性渐变层由下至上从金属极性逐渐转变为氮极性，极性反转层由下至上从氮极性转变为金属极性。本发明可以提高空穴载流子浓度和纵向迁移速率，减小p型空穴传输层电阻率，进而可以提高紫外发光器件的光电转换效率。
本发明授权紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光器件的外延结构，其特征在于，包括从下至上依次生长的衬底1、AlN层2、n型电子传输层3、多量子阱发光层4、电子阻挡层5、p型空穴传输层6和p型接触层7； 所述p型空穴传输层6包括至少一组极性变化层和金属极性层6‑3，所述极性变化层包括极性渐变层6‑1和生长于极性渐变层6‑1上的极性反转层6‑2，所述金属极性层6‑3生长于最上面的极性变化层的极性反转层6‑2上，所述极性渐变层6‑1由下至上从金属极性逐渐转变为氮极性，所述极性反转层6‑2由下至上从氮极性转变为金属极性。
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