哈尔滨工业大学杭春进获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119216874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411290336.6，技术领域涉及：B23K35/40；该发明授权一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法是由杭春进;关旗龙;李宣;唐晓玖;王睿琦设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。采用一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化制备方法制备Sn基钎料表面纳米晶氧化层，Sn基钎料表面纳米晶氧化层的Sn基钎料表面氧化物纳米晶的平均晶粒直径为10‑20nm，氧化物层厚度为50nm‑1μm。大幅度缩短钎料表面氧化物的生长周期，提升氧化物厚度上限，提高材料的抗腐蚀性能。
本发明授权一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种γ辐照诱导Sn基钎料表面纳米晶氧化层制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1：对钎料进行表面预处理； 步骤2：对钎料进行电子辐照； 步骤2包括以下步骤： 步骤2.1：Sn基钎料样品放入γ辐照装置中； 步骤2.2：对钎料样品进行γ辐照处理； 步骤2.2中，辐照剂量率为0.05gySis~0.5gySis，辐照时间为300h~5000h，辐照总剂量为5.4×104gy~9×106gy； 步骤2.2中，温度为40℃~70℃，平台转速为10rpm~60rpm； 步骤2.3：得到表面具有纳米晶氧化层的钎料； Sn基钎料表面纳米晶氧化物的平均晶粒直径为10‑20nm，氧化层厚度为50nm‑1μm。
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