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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230496B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411350957.9，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置是由潘敏强;谢庆琳;李超;周晓宇设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置，包括歧管微通道模块、多芯片组件、导热胶和外壳；所述歧管微通道模块包括从上至下的上盖板、歧管基板、微通道板；所述多芯片组件采用倒装焊封装，包括具有多个热点区域的多核芯片、TSV转接板和均匀热源芯片；本发明采用具有混合结构的歧管微通道模块，可以减小流动路径和泵功，有效冷却具有多个热点区域的多核芯片，同时将微通道直接刻蚀在TSV转接板上，减小接触热阻，实现“嵌入式”冷却，极大地提高了垂直互连芯片的散热效率，双散热通道解决了基于TSV转接板倒装焊封装的3D多核芯片散热困难的问题。

本发明授权一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置在权利要求书中公布了：1.一种基于TSV转接板倒装焊的3D多核芯片双通道散热装置，其特征在于，包括层叠设置的歧管微通道模块、导热胶、多芯片组件及外壳； 所述歧管微通道模块从上至下包括上盖板、歧管基板和微通道板，用于对具有多个热点区域的多核芯片进行有效冷却； 所述多芯片组件采用倒装焊封装，包括多核芯片、TSV转接板和均匀热源芯片，用于对3D互连芯片的冷却，所述3D互连芯片是通过TSV转接板实现垂直互连的多核芯片和均匀热源芯片； 所述上盖板包括进液口、进液口流道、出液口流道和出液口，所述进液口与进液口流道连通，所述出液口与出液口流道连通； 所述歧管基板包括歧管进口流道、歧管进口、歧管出口和歧管出口流道，所述歧管进口流道包括设置在歧管基板两侧的两条平行流道，两条歧管进口流道之间区域包括多条平行间隔分布的歧管进口和歧管出口，所述歧管出口中间位置设有歧管出口流道，且相互连通； 所述微通道板包括针鳍阵列、光滑通道和肋板通道；所述针鳍阵列和光滑通道沿第一方向间隔均匀分布，针鳍阵列和光滑通道组成的通道与所述肋板通道沿第二方向间隔均匀分布； 所述上盖板、歧管基板和微通道板层叠形成一体，歧管基板上的两条平行歧管进口流道的一端与上盖板的进液口流道相连通；歧管基板上的歧管出口流道与上盖板的出液口流道相连通；所述针鳍阵列位于歧管进口下方，肋板通道位于歧管出口正下方； 所述歧管进口的中部设有挡板，使得歧管进口的两端相互之间不连通。

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