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龙图腾网获悉太原科技大学申请的专利一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119296941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546882.1，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法是由雍辉;冯凯;王帅;胡季帆;赵科;凤玉龙;王杰;李佳楠;张治堃设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法在说明书摘要公布了：一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法，属于磁性材料制备技术领域，解决富Fe钐钴磁体不易形成良好胞状组织结构以及工艺流程长的技术问题，包括以下步骤：S1、称取钐钴永磁体合金原料，制备合金铸锭；S2、采用机械破碎方法制备合金颗粒，将合金颗粒制备成合金粉末；S3、钐钴合金粉末经磁场取向成型、冷等静压压制成型，制备生坯；S4、生坯经烧结固溶处理制备烧结钐钴永磁体毛坯，再将毛坯加工成钐钴磁体薄片；S5、钐钴磁体薄片进行一次扩散PrCu处理；S6、磁体薄片进行二次扩散SnFe处理；S7、二次扩散薄片进行时效处理制得钐钴永磁体。本发明提供的制备方法易于操作控制和产业化，制得的富Fe烧结钐钴磁体性能优异。

本发明授权一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法在权利要求书中公布了：1.一种富Fe高矫顽力钐钴磁体的扩散制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、首先，按照如下成分及其重量百分比称取钐钴永磁体合金原料：Sm1‑xRex:23%~25.5%，Fe:16%~23%，Zr:2.1%~3%，Cu:4%~6%，余量为Co；其中，0≤x≤0.3，Re为Pr、Nd、Gd、Dy、Tb、Er、Y或者Ho中的一种或几种；然后，将称取的钐钴永磁体合金原料在真空中频感应熔炼炉中熔炼，制得厚度为10mm的合金铸锭； S2、将步骤S1制备的合金铸锭机械破碎为粒径为0.5~2.5mm的合金颗粒；然后，采用气流磨制粉的方法将合金颗粒制成平均粒径为3~5μm的合金粉末； S3、将步骤S2制备的合金粉末在空气氛围中称重，然后在2T磁场下取向成型，最后再在200MPa压力下进行冷等静压压制成型，制得生坯； S4、首先，将步骤S3制得的生坯在1200~1215℃温度条件下烧结1~2h；然后，烧结后的坯料随炉冷却到1160~1180℃进行固溶处理，保温时间为4~10h，固溶处理后快速风冷至室温，得到钐钴磁体固溶态毛坯；最后，将钐钴磁体固溶态毛坯用切片机加工成钐钴磁体薄片； S5、首先，制备PrCu悬浊溶液；然后，将PrCu悬浊溶液均匀涂覆在钐钴磁体薄片表面并吹干；最后将涂覆后的钐钴磁体薄片在管式炉中进行一次扩散处理，一次扩散处理温度为1140~1150℃，扩散处理时间为4~8h，冷却出炉制得钐钴磁体扩散薄片； S6、首先，制备SnFe悬浊溶液；然后，将SnFe悬浊溶液均匀涂覆在步骤S5制备的薄片表面并吹干；最后，将涂覆后的钐钴磁体薄片在管式炉中进行二次扩散处理，二次扩散处理温度为850~900℃，扩散处理时间为2~4h，冷却出炉制得钐钴磁体二次扩散薄片； S7、将步骤S6处理后所得钐钴磁体二次扩散薄片进行时效处理，时效处理工艺为：将钐钴磁体二次扩散薄片升温至800~850℃，保温1~4h，然后再以1.5℃min的速度降温至400℃，保温1h后快速风冷至室温，制得富Fe高矫顽力钐钴磁体。

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