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龙图腾网获悉湖南德智新材料股份有限公司申请的专利一种制备自支撑碳化硅膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411381230.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种制备自支撑碳化硅膜的方法是由熊栋;余盛杰;万强;廖家豪;柴攀设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备自支撑碳化硅膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制备自支撑碳化硅膜的方法。本发明的方法包括：向生长腔室内第一次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使玻璃碳衬底的温度维持在900℃‑1200℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长60min‑120min，形成碳化硅剥离层；向生长腔室内第二次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使玻璃碳衬底的温度维持在1100℃‑1300℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长240min‑560min，在碳化硅剥离层的表面形成碳化硅支撑层。本发明通过对制备碳化硅膜的方法进行改进，能够使生成的碳化硅膜从玻璃碳衬底表面实现完整的自剥离和自支撑，从而提高了碳化硅膜的外观形貌及结构性能，继续沉积后再将碳化硅膜与碳化硅涂层产品紧密结合，能够形成良好完整性的碳化硅半导体产品。

本发明授权一种制备自支撑碳化硅膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备自支撑碳化硅膜的方法，其特征在于，所述方法包括：对玻璃碳衬底进行表面清洁处理； 将玻璃碳衬底置于生长腔室内并抽至真空，利用微波辐射加热所述玻璃碳衬底，微波辐射的输出功率为1000W‑1500W； 向所述生长腔室内第一次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使所述玻璃碳衬底的温度维持在900℃‑1200℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长60min‑120min，形成碳化硅剥离层； 向所述生长腔室内第二次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使所述玻璃碳衬底的温度维持在1100℃‑1300℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长240min‑560min，在所述碳化硅剥离层的表面形成碳化硅支撑层； 对所述碳化硅剥离层和所述碳化硅支撑层进行退火处理，并使所述玻璃碳衬底的温度以10℃h‑20℃h的降温速率降至20℃‑30℃； 其中，所述退火处理包括微波辐射的输出功率以100Wh‑300Wh的速率降低至500W‑800W，退火时间为3‑8h； 所述碳化硅剥离层的厚度为20nm~200nm； 所述碳化硅支撑层的厚度≥500nm； 向所述生长腔室内第一次通入所述碳硅烷烃和所述还原性气体时，所述碳硅烷烃与所述还原性气体之间的气体流量比为1:1.5‑1.8； 向所述生长腔室内第二次通入所述碳硅烷烃和所述还原性气体时，所述碳硅烷烃与所述还原性气体之间的气体流量比为1:0.8‑1.2。

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