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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利有源区第零层金属层的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411347918.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权有源区第零层金属层的制造方法是由秦凌雁;郭纹辰;钱睿设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源区第零层金属层的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源区第零层金属层的制造方法，包括：步骤一、提供完成了有源区接触孔开口形成工艺的半导体衬底。步骤二、在有源区接触孔开口的侧面形成内侧墙。步骤三、形成BARC层。步骤四、进行光刻工艺形成光刻胶图形将第一离子注入区打开。步骤五、将第一离子注入区中的BARC层都去除并进行第一离子注入以在有源区接触孔开口底部形成接触区。步骤六、采用灰化工艺去除BARC层，灰化工艺不含氧气以保证内侧墙不被氧化。步骤七、进行预清洗，在预清洗中，内侧墙由于未被氧化而保留。步骤八、形成有源区第零层金属层。本发明能形成接触区以降低接触电阻的同时还能保证M0A的尺寸不扩大，能降低M0A和栅极之间的寄生电容并防止M0A和栅极短路。

本发明授权有源区第零层金属层的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区第零层金属层的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供完成了有源区接触孔开口形成工艺的半导体衬底； 所述半导体衬底的顶部表面形成有半导体器件的栅极结构，在所述栅极结构的两侧的所述半导体衬底中自对准形成有源区和漏区，在所述栅极结构之间的间隔区域中填充有第零层层间膜，第一层层间膜覆盖在所述栅极结构的顶部表面和所述第零层层间膜的顶部表面上； 在所述源区和所述漏区顶部都形成有对应的所述有源区接触孔开口，所述有源区接触孔开口穿过所述第一层层间膜和所述第零层层间膜； 步骤二、在所述有源区接触孔开口的侧面形成内侧墙，所述内侧墙的材料不同于所述第一层层间膜和所述第零层层间膜的材料； 步骤三、形成BARC层，所述BARC层覆盖在所述第一层层间膜的顶部表面上且将所述有源区接触孔开口完全填充，所述BARC层具有平坦的顶部表面； 步骤四、进行光刻工艺形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将第一离子注入区打开，所述第一离子注入区包括多个所述半导体器件的所述源区和所述漏区之间的区域； 步骤五、将所述第一离子注入区中的所述BARC层都去除并进行第一离子注入，所述第一离子注入在所述有源区接触孔开口底部形成接触区； 步骤六、利用所述BARC层不含硅的特性，采用灰化工艺去除所述BARC层，所述灰化工艺不含氧气，以保证所述内侧墙不被氧化； 步骤七、进行预清洗，在所述预清洗中，所述内侧墙由于未被氧化而保留在所述有源区接触孔开口的侧面并从而防止所述有源区接触孔开口的宽度扩大； 步骤八、形成有源区第零层金属层，所述有源区第零层金属层将所述有源区接触孔开口完全填充，所述有源区第零层金属层和所述接触区形成欧姆接触以降低接触电阻。

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