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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种异质结晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300371B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411375134.1，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种异质结晶体管的制造方法是由刘丙永;黄景丰;陈曦设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异质结晶体管的制造方法，包括：S1：提供一衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，衬底表面形成有第一电介质层和第二电介质层；S2：形成叠层结构；S3：形成第五电介质层；S4：去除高于外延层的第五电介质层和第四电介质层；S5：在剩余的第五电介质层上生长外基区多晶硅层，并形成第六电介质层；S6：去除第三电介质层及位于其顶部的第六电介质层，形成第二开口；S7：形成侧墙结构；S8：通过外延工艺生长第二多晶硅层，去除部分第二多晶硅层和第六电介质层，形成发射极；S9：去除部分外基区多晶硅层、第五电介质层、第二电介质层和第一电介质层，形成HBT器件图形。本申请通过上述方案，能够高效制作异质结晶体管。

本发明授权一种异质结晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结晶体管的制造方法，其特征在于，包括： S1：提供一衬底，所述衬底中形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，所述衬底表面由下至上依次形成有第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层和第二电介质层中形成有位于有源区上方的第一开口； S2：在所述第一开口上形成叠层结构，所述叠层结构由下至上依次包括外延层、锗硅层、第三电介质层和第四电介质层，所述外延层用于形成集电极，所述锗硅层用于形成基区； S3：形成第五电介质层，所述第五电介质层覆盖所述叠层结构以及所述第二电介质层； S4：刻蚀去除高于所述外延层的第五电介质层和第四电介质层； S5：在剩余的所述第五电介质层上生长外基区多晶硅层，并在所述外基区多晶硅层和剩余的第三电介质层上形成第六电介质层； S6：刻蚀去除所述第三电介质层及位于其顶部的第六电介质层，形成第二开口，所述第二开口位于所述锗硅层上方； S7：在所述第二开口中形成相对间距设置的两个侧墙结构； S8：通过外延工艺生长第二多晶硅层，通过光刻和刻蚀工艺去除部分所述第二多晶硅层和第六电介质层，形成发射极； S9：通过光刻和刻蚀工艺去除部分所述外基区多晶硅层、第五电介质层、第二电介质层和第一电介质层，形成HBT器件图形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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