杭州芯迈半导体技术有限公司王宝柱获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利一种功率半导体器件版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411793500.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种功率半导体器件版图是由王宝柱;王加坤设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件版图在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率半导体器件，具有衬底层、外延层、阱区、源区和源电极区。该外延层具有外延层上表面和外延层下表面，其中所述外延层下表面与衬底层相接。该阱区分布在外延层中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布。该源区分布在阱区中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布。该源电极区，分布在源区中，在外延层上表面的第一方向上与源区交叠。本申请将源电极区分布在源区中，减小了功率半导体器件的尺寸，降低了功率半导体器件的导通电阻。
本发明授权一种功率半导体器件版图在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： 衬底层； 外延层，具有外延层上表面和外延层下表面，其中所述外延层下表面与衬底层相接； 阱区，分布在外延层中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布； 源区，分布在阱区中，在外延层上表面的第一方向上呈条状分布；以及源电极区，分布在源区中，在外延层上表面的第一方向上与源区交叠； 其中所述功率半导体器件包括第一截面和第二截面，其中： 所述第一截面在外延层上表面的第二方向上包括间隔分布的外延平台区和所述阱区，所述阱区中包括所述源区，所述源区的宽度小于所述阱区的宽度，所述源区中未分布源电极区，并且所述间隔分布的外延平台区和所述阱区被连续延伸的栅氧层和栅电极层覆盖，所述第二方向垂直于所述第一方向； 所述第二截面在所述外延层上表面的第二方向上包括所述的间隔分布的外延平台区和阱区，所述阱区中包括所述源区，其中在至少一个源区中还包括所述源电极区，嵌于所述源区。
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