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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408314.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片是由符艳军;潘成;付振;王帅鹏;马媛设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及存储技术领域，具体涉及一种基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片。本公开创新性地在MRAM存储单元中引入了包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结的双磁性隧道结。第一和第二磁性隧道结被镜像设置于第一金属层两侧，它们的自由层均与第一金属层电接触，固定层则分别与第二和第三金属层电接触。当对所述MRAM存储单元进行写入操作时，通过施加贯穿所述双磁性隧道结的不同方向的写入电流来写入数据，当对所述MRAM存储单元进行读取操作时，通过判断所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的磁阻差异来读取数据。由此有效地抵御了外界磁场干扰。

本发明授权基于差分形式的MRAM存储单元及其制备方法、MRAM存储单元阵列、MRAM存储器和芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于差分形式的MRAM存储单元，其特征在于，所述MRAM存储单元包括：MOS管、双磁性隧道结、第一金属层、第二金属层和第三金属层；其中，所述双磁性隧道结包括：第一磁性隧道结和第二磁性隧道结；所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结分别包括依次设置的固定层、非磁隧穿层和自由层； 所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结被镜像设置于所述第一金属层两侧，所述第一磁性隧道结的自由层和所述第二磁性隧道结的自由层分别与所述第一金属层电接触； 所述第一磁性隧道结的固定层与所述第二金属层电接触，所述第二磁性隧道结的固定层与所述第三金属层电接触； 所述MOS管的栅极连接到字线，所述MOS管的源极连接到源线，所述MOS管的漏极连接到所述第三金属层； 当所述MRAM存储单元处于写入状态时，所述第二金属层、所述字线和所述源线分别连接到数据写入电路，通过所述数据写入电路根据写入数据在所述第二金属层和所述MOS管的漏极之间形成贯穿所述双磁性隧道结的写入电流，以便所述数据写入电路通过所述写入电流将所述写入数据写入所述MRAM存储单元，其中，所述写入电流的方向与所述写入数据相对应； 当所述MRAM存储单元处于读取状态时，所述第一金属层连接到数据读取电路的第一输入端，所述第二金属层和所述第三金属层分别连接到所述数据读取电路的第二输入端，以便所述数据读取电路根据所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的磁阻差异读取所述MRAM存储单元的数据，所述MRAM存储单元的数据通过所述数据读取电路的输出端输出； 其中，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结的磁阻差异包括磁阻正差异和磁阻负差异，所述磁阻正差异因所述第一磁性隧道结的磁阻大于所述第二磁性隧道结的磁阻而形成，所述磁阻负差异因所述第一磁性隧道结的磁阻小于所述第二磁性隧道结的磁阻而形成。

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