买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利HBT器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411321741.X，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权HBT器件的制作方法是由刘丙永;黄景丰;陈曦设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本HBT器件的制作方法在说明书摘要公布了：公开了一种HBT器件的制作方法，包括：提供一衬底，衬底中形成有隔离层，衬底和隔离层上形成有第一电介质层，第一电介质层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上形成有第二电介质层，第二电介质层上形成有第三电介质层，第三电介质层上形成有第四电介质层；第一目标区域的第一多晶硅层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层，在第一目标区域形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成第五电介质层；去除第四电介质层和第一沟槽下方的第一电介质层，在第一沟槽下方形成第二沟槽，第二沟槽底部的衬底暴露，第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；在第二沟槽中生长单晶硅层；去除第一沟槽侧壁的第五电介质层；在第一沟槽和第二沟槽中填充锗硅层。

本发明授权HBT器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种HBT器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有隔离层，所述衬底和隔离层上形成有第一电介质层，所述第一电介质层上形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上形成有第二电介质层，所述第二电介质层上形成有第三电介质层，所述第三电介质层上形成有第四电介质层，所述第一电介质层和所述第二电介质层、所述第四电介质层的构成材料相同，所述第一电介质层和所述第三电介质层的构成材料不同； 去除第一目标区域的第一多晶硅层、第二电介质层、第三电介质层和第四电介质层，在所述第一目标区域形成第一沟槽，所述第一目标区域位于所述隔离层内层环绕的区域内； 在所述第一沟槽的侧壁形成第五电介质层，所述第五电介质层和所述第三电介质层的构成材料相同； 去除所述第四电介质层和所述第一沟槽下方的第一电介质层，在所述第一沟槽下方形成第二沟槽，所述第二沟槽底部的衬底暴露，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度； 在所述第二沟槽中生长单晶硅层并对所述单晶硅层进行离子注入，生长的单晶硅层的顶部低于所述第二沟槽的开口； 去除所述第一沟槽侧壁的第五电介质层； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽中填充锗硅层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。