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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;晶科能源(海宁)有限公司申请的专利一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411464084.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片是由陈超;冉超;苗劲飞;苗丽燕;邱彦凯设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片在说明书摘要公布了：本申请提供一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片，制备方法包括：制备硅片；在硅片背面激光开槽，形成第一连接槽，使第二钝化接触结构的部分表面能经第一连接槽裸露；在硅片背面设置绝缘层，使绝缘层覆盖于第一连接槽的底壁、侧壁及第一钝化接触结构的表面；在硅片背面激光开槽，去除第一钝化接触结构表面的部分绝缘层，形成第二连接槽，使第一钝化接触结构的部分表面能经第二连接槽裸露；还去除第一连接槽底壁上的绝缘层，使第一连接槽内的第二钝化接触结构再次裸露；在硅片背面设置栅线，形成与裸露的第二钝化接触结构电连接的第一栅线、以及与裸露的第一钝化接触结构电连接的第二栅线，该制备方法能够简化背接触电池片的制备工艺。

本发明授权一种背接触电池片的制备方法及背接触电池片在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池片的制备方法，其特征在于，所述背接触电池片包括硅片100和设置于所述硅片100的背面的栅线200，所述栅线200包括第一栅线210和第二栅线220，所述硅片100包括第一硅衬底1和第二硅衬底2，所述第一硅衬底1的背面设置有第一钝化接触结构3，所述第二硅衬底2的背面设置有第二钝化接触结构4，所述第二钝化接触结构4与所述第一硅衬底1的正面键合连接，所述第一钝化接触结构3与所述第二钝化接触结构4的极性相反； 所述制备方法包括： 制备所述硅片100； 在所述硅片100的背面进行激光开槽，以形成第一连接槽10，以使所述第二钝化接触结构4的部分表面能经所述第一连接槽10裸露； 在所述硅片100的背面设置绝缘层6，使所述绝缘层6覆盖于所述第一连接槽10的底壁、侧壁以及所述第一钝化接触结构3的表面，以使所述第一钝化接触结构3与所述第二钝化接触结构4绝缘； 再次在所述硅片100的背面进行激光开槽，去除位于所述第一钝化接触结构3表面的部分所述绝缘层6，以形成与所述第一连接槽10间隔分布的第二连接槽20，以使所述第一钝化接触结构3的部分表面能经所述第二连接槽20裸露；还去除位于所述第一连接槽10底壁上的所述绝缘层6，以使所述第一连接槽10内的所述第二钝化接触结构4能再次裸露； 在所述硅片100的背面设置栅线200，以形成位于所述第一连接槽10内并与裸露的所述第二钝化接触结构4电连接的所述第一栅线210、以及位于所述第二连接槽20内并与裸露的所述第一钝化接触结构3电连接的所述第二栅线220。

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