上海集成电路研发中心有限公司冯高明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利阻变存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310932313.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权阻变存储器的制备方法是由冯高明;郭奥;李铭;李琛设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阻变存储器的制备方法，包括：提供衬底，衬底中形成有第一底电极；在衬底上依次形成第一绝缘介质层和第二绝缘介质层；执行第一光刻工艺，刻蚀第一绝缘介质层和第二绝缘介质层形成底电极连接孔；形成底电极金属层填充底电极连接孔且延伸覆盖第二绝缘介质层的表面；执行化学机械抛光工艺，去除第二绝缘介质层表面的底电极金属层，底电极连接孔和底电极连接孔中保留的底电极金属层形成底电极连接件；形成阻变材料核心层覆盖第二绝缘介质层和底电极连接件；执行第二光刻工艺，刻蚀阻变材料核心层形成阻变核心图形。本发明实现阻变存储器的工艺可控性，提高阻变存储器制备的工艺窗口。
本发明授权阻变存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有第一底电极； 在所述衬底上依次形成第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的材质不同； 执行第一光刻工艺，以所述第二绝缘介质层作为光刻胶隔离层，刻蚀所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层形成底电极连接孔； 形成底电极金属层填充所述底电极连接孔且延伸覆盖所述第二绝缘介质层的表面； 执行化学机械抛光工艺，以所述第二绝缘介质层作为抛光停止层，去除所述第二绝缘介质层表面的底电极金属层，所述底电极连接孔和所述底电极连接孔中保留的底电极金属层形成底电极连接件，所述底电极连接件与所述第一底电极电性连接； 形成阻变材料核心层覆盖所述第二绝缘介质层和所述底电极连接件；以及，执行第二光刻工艺，以所述第二绝缘介质层作为刻蚀停止层，刻蚀所述阻变材料核心层形成阻变核心图形，所述阻变核心图形与所述底电极连接件电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励