中国科学院微电子研究所杨尚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种数字光刻仿真方法和相关装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411601579.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种数字光刻仿真方法和相关装置是由杨尚;韦亚一;张利斌设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种数字光刻仿真方法和相关装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种数字光刻仿真方法和相关装置，获取数字微镜阵列的设计文件和阵列图；数字微镜阵列包括多个微镜；基于设计文件和阵列图，生成数字微镜阵列的灰度图；基于光学系统信息和灰度图，计算光在经过光学系统后的初始电磁场分布；基于初始电磁场分布和光刻胶结构，计算得到光刻胶潜像；光刻胶潜像包括光在光刻胶结构中的三维光强分布；基于光刻胶潜像和光强阈值确定残余光刻胶轮廓。通过上述仿真计算过程，能够得到设计文件对应的残余光刻胶轮廓，且仿真结果较为准确，无需人工手动进行试验，节省了大量人力物力，且提高了效率，提高了数字掩模灰度光刻的生产效率。
本发明授权一种数字光刻仿真方法和相关装置在权利要求书中公布了：1.一种数字光刻仿真方法，其特征在于，包括： 获取数字微镜阵列的设计文件和阵列图；所述数字微镜阵列包括多个微镜；所述设计文件包括各个所述微镜的位置、开关状态和打开时长，所述阵列图包括各个所述微镜的尺寸和位置； 基于所述设计文件和所述阵列图，生成所述数字微镜阵列的灰度图；所述灰度图包括各个所述微镜的灰度信息； 基于光学系统信息和所述灰度图，计算光在经过光学系统后的初始电磁场分布； 基于所述初始电磁场分布和光刻胶结构，计算得到光刻胶潜像；所述光刻胶潜像包括光在所述光刻胶结构中的三维光强分布； 基于所述光刻胶潜像和光强阈值确定残余光刻胶轮廓。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励