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龙图腾网获悉安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411596472.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法是由倪炜江;郝志杰设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法，包括：半导体漏区、半导体漂移区、第二导电类型半导体阱区、第一导电类型半导体源区、第二导电类型半导体体接触区、第一导电类型载流子扩散层、第一沟槽、第二导电类型半导体屏蔽区、第二沟槽、栅极介质层、栅极电极、层间介质层、接触孔、源端金属电极以及漏端金属电极；本申请公开通过在半导体阱区底部制备有第一导电类型半导体载流子扩散层，以降低器件的比导通电阻；第一沟槽底部及侧壁的全部区域制备有与源端金属电极短接的第二导电类型半导体屏蔽区，可比仅沟槽底部引入的屏蔽区显著地降低栅氧电场，以提升器件可靠性；本发明不仅优化了器件的静，动态电性能参数，还优化了器件的可靠性。

本发明授权一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅阶梯沟槽MOSFET，其特征在于，包括： 半导体漏区1，其为重掺杂第一导电类型的半导体材料； 半导体漂移区2，其为轻掺杂第一导电类型的半导体材料； 第二导电类型半导体阱区3，其位于所述半导体漂移区2顶端； 第一导电类型半导体源区4，其位于所述第二导电类型半导体阱区3顶端中间位置； 第二导电类型半导体体接触区5，其位于所述第二导电类型半导体阱区3顶端且远离中间位置； 第一导电类型载流子扩散层6，其位于第二导电类型半导体阱区3以及第二导电类型半导体屏蔽区之间； 第一沟槽7，其位于所述半导体漂移区2中间位置，从半导体源区延伸入半导体漂移区中； 第二导电类型半导体屏蔽区8环绕着所述第一沟槽7； 第二沟槽9置于第一沟槽7正上方； 栅极介质层10位于所述第一沟槽7和第二沟槽9的内壁； 栅极电极11，其位于所述栅极介质层10上； 层间介质层12，其位于所述栅极电极11之上； 所述层间介质层12中设有接触孔13； 源端金属电极14，其位于所述层间介质层12上方，通过所述接触孔13与半导体源区和半导体体接触区形成欧姆接触； 漏端金属电极15，其位于所述半导体漏区1的下方，且与半导体漏区1形成欧姆接触； 第二导电类型半导体屏蔽区与源端金属短接。

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