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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利截面样品的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119437835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411546926.0，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权截面样品的制备方法是由邹雅;周文婷;赵新伟;高金德设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本截面样品的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种截面样品的制备方法，包括：步骤一、形成用于粗定位的第一标记。步骤二、量测第一标记和芯片样品上的目标结构之间的相对距离。步骤三、根据相对距离形成多个用于精细定位的FIB标记，FIB标记包括第二至第五标记。第二标记和第三标记沿Y方向延伸且分布在目标结构的沿X方向上的两侧。第四标记沿X方向延伸且位于目标结构的Y方向上的上游侧的第一提示距离处。第五标记包括和目标结构的X方向延伸段平齐的平齐结构以及和平齐结构相连接且位于平齐结构上游侧的第一和第二直线。步骤四、进行制样研磨，包括：研磨直至观测到第四标记。继续研磨直至观测到第五标记的平齐结构。本发明能实现截面样品的高效定点制备并能实现高效定点分析。

本发明授权截面样品的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种截面样品的制备方法，其特征在于，包括： 步骤一、在芯片样品上形成用于粗定位的第一标记； 步骤二、量测所述第一标记和所述芯片样品上的目标结构之间的相对距离，包括第一X方向距离和第一Y方向距离；Y方向为制样研磨方向，X方向和Y方向垂直； 步骤三、根据所述第一标记和所述目标结构的相对距离形成多个用于精细定位的FIB标记，所述FIB标记包括第二标记、第三标记、第四标记和第五标记； 所述第二标记和所述第三标记为沿Y方向延伸的直线结构且分布在所述目标结构的沿X方向上的两侧，所述第二标记和所述第三标记用于定位所述目标结构在X方向上的位置； 所述第四标记为沿X方向延伸的直线结构；所述第四标记位于所述目标结构的沿Y方向上的上游侧且所述第四标记和所述目标结构之间在Y方向具有第一提示距离，所述第一提示距离用于在制样研磨时提示即将到达所述目标结构对应的目标位置；所述上游侧为在制样研磨过程中先研磨的一侧； 所述第五标记由多个线段连接而成，包括和所述目标结构的X方向延伸段平齐的平齐结构以及和所述平齐结构相连接的第一直线和第二直线，所述平齐结构为一顶点或一直线；所述第一直线和所述第二直线都和所述平齐结构连接，所述第一直线和所述第二直线都位于所述平齐结构的上游侧； 步骤四、对所述芯片样品进行制样研磨形成截面样品，包括： 在所述第四标记的上游侧开始进行所述制样研磨直至观测到所述第四标记； 继续进行所述制样研磨直至观测到所述第五标记的所述平齐结构，所述第五标记的所述第一直线和所述第二直线同时消失。

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