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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447111B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411587322.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构及其测试方法是由谷东光设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体测试结构及其测试方法。半导体测试结构包括沿第一方向延伸的多晶硅切断区及至少一双晶体管结构，双晶体管结构包括沿多晶硅切断区对称分布的两晶体管，晶体管包括：第一有源区，沿第一方向延伸，与多晶硅切断区之间具有第一间距；栅极，包括第一延伸部及位于第一延伸部第一端的第二延伸部，第一延伸部沿第二方向延伸且与第一有源区部分重叠，第二延伸部与第一有源区平行；第一有源区在栅极的第一延伸部两侧形成有源极和漏极；第二有源区，包括本体及本体两端的弯折部，本体位于第二延伸部远离第一有源区的一侧，两弯折部包围第二延伸部两端；半导体测试结构通过对晶体管进行电性测试以监控多晶硅切断区的多晶硅套准精度。

本发明授权半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括沿第一方向延伸的多晶硅切断区以及至少一双晶体管结构，所述双晶体管结构包括沿所述多晶硅切断区对称分布的两晶体管，每一所述晶体管包括： 第一有源区，沿所述第一方向延伸，所述第一有源区与所述多晶硅切断区之间具有第一间距； 栅极，包括第一延伸部及位于所述第一延伸部第一端的第二延伸部，所述第一延伸部第一端为远离另一所述晶体管的一端，所述第一延伸部沿第二方向延伸且与所述第一有源区部分重叠，所述第二延伸部与所述第一有源区平行，其中，所述第二方向与所述第一方向形成夹角； 所述第一有源区在所述栅极的第一延伸部两侧形成有源极和漏极； 第二有源区，包括本体及位于所述本体两端的弯折部，所述本体位于所述栅极的第二延伸部远离所述第一有源区的一侧，两所述弯折部包围所述栅极的第二延伸部的两端； 所述半导体测试结构通过对所述晶体管进行电性测试以监控所述多晶硅切断区的多晶硅套准精度。

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