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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利存储器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411498812.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储器件的制作方法是由姚春;杜怡行;王壮壮设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域的衬垫氧化层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上方形成有第二多晶硅层，第二区域的衬垫氧化层上形成有第三多晶硅层，第三区域的衬垫氧化层上形成有第四多晶硅层；依次在第二多晶硅层、第三多晶硅层和第四多晶硅层上形成刻蚀保护层和帽子层；去除第二区域和第三区域的刻蚀保护层、帽子层；在第一区域形成第一沟槽，在第二区域形成第二沟槽，在第三区域形成第三沟槽；在存储单元、第一逻辑器件的栅极和第二逻辑器件的栅极的周侧形成隔离层；形成层间介电层；形成接触孔的通孔。

本发明授权存储器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底用于形成半导体器件的区域包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域用于形成存储单元器件，所述第二区域用于形成第一逻辑器件，所述第三区域用于形成第二逻辑器件，所述衬底上形成有衬垫氧化层，所述第一区域的衬垫氧化层上形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上方形成有第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层之间形成有第一隔离层，所述第二区域的衬垫氧化层上形成有第三多晶硅层，所述第三区域的衬垫氧化层上形成有第四多晶硅层； 在所述第二多晶硅层、所述第三多晶硅层和所述第四多晶硅层上形成刻蚀保护层； 在所述刻蚀保护层上形成帽子层； 去除所述第二区域和所述第三区域的刻蚀保护层、帽子层； 进行刻蚀，在所述第一区域形成第一沟槽，在所述第二区域形成第二沟槽，在所述第三区域形成第三沟槽，所述第一沟槽底部的衬底暴露，所述第二沟槽底部的衬底暴露，所述第三沟槽底部的衬底暴露，剩余的第一多晶硅层形成存储单元的浮栅，剩余的第二多晶硅层形成存储单元的控制栅，剩余的第三多晶硅层形成第一逻辑器件的栅极，剩余的第四多晶硅层形成第二逻辑器件的栅极； 在存储单元的周侧形成第二隔离层，在所述第一逻辑器件的栅极的周侧形成第三隔离层，在所述第二逻辑器件的栅极的周侧形成第四隔离层； 形成层间介电层，所述层间介电层的高度高于所述第二隔离层、所述第三隔离层和所述第四隔离层； 进行刻蚀，在所述第一沟槽内形成第一通孔，在所述第二沟槽内形成第二通孔，在所述第三沟槽内形成第三通孔，所述第一通孔底部的衬底暴露，所述第二通孔底部的衬底暴露，所述第三通孔底部的衬底暴露，所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔用于形成接触孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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