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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种射频芯片中的防水层的制备方法及射频芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411548304.1，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种射频芯片中的防水层的制备方法及射频芯片结构是由陶波;萧国坤;彭坤;汪维金设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频芯片中的防水层的制备方法及射频芯片结构在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种射频芯片中的防水层的制备方法及带防水层结构的射频芯片结构，该方法通过巧妙地利用射频芯片制备过程中的固有的空气隙的制备工艺，在进行空气隙刻蚀的同时进行第一级防水层刻蚀，并形成第一级防水层空隙；并在完成后续所有互连层的制备后进行第二级防水层刻蚀，直至连通所述第一级防水层空隙，最终形成防水层空腔；从而利用分级刻蚀的方式，避免了现有技术中的深沟槽刻蚀工艺，降低了刻蚀难度，也降低了刻蚀的时间，提高了生产效率。并且由于空气隙的制备工艺是射频芯片制备过程中的固有的工艺步骤，因而没有额外增加工艺，有效控制了成本。

本发明授权一种射频芯片中的防水层的制备方法及射频芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种射频芯片中的防水层的制备方法，其特征在于，包括： 提供SOI衬底，所述SOI衬底上已完成所述射频芯片前端工艺，且已形成有层间介质层和第一互连层；其中，所述SOI衬底包括器件区与边缘区，所述器件区中形成有RF器件；所述第一互连层包括形成于第一层间介质层中的接触孔，位于接触孔上方的第一金属层以及填充于第一金属层中各第一金属之间的第一互连介质层； 在所述第一互连层的所述器件区的第一预设位置和边缘区的第二预设位置形成预设深度的空气隙空腔和第一级防水层空腔； 在所述第一互连层上沉积第二互连介质层，且所述第二互连介质层填充所述空气隙空腔与第一级防水层空腔内，分别形成空气隙与第一级防水层空隙； 在所述第二互连介质层中形成第一通孔和第二金属层，并完成后续所有互连层的制备； 在所述第一互连层以上的互连层内形成与所述第一级防水层空腔对齐的第二级防水层空腔，并且所述第二级防水层空腔连通所述第一级防水层空隙，形成防水层空腔； 在所述防水层空腔内沉积防水介质形成防水层，所述防水介质中存在至少一个防水空隙；所述防水层围绕所述射频芯片主体设置。

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