新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司徐丽获国家专利权
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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119479730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411486287.3,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权存储器是由徐丽;董祖奇;李建平设计研发完成,并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了:本公开实施例公开了一种存储器,包括存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路;存储单元阵列包括多条位线、多条字线、位于多条位线以及多条字线之间的多个存储单元;外围电路被配置为:响应于写入命令,对目标存储单元耦接的选中字线施加第一电压,对目标存储单元耦接的选中位线施加第二电压,并对未选中位线施加第三电压;响应于写入命令,对目标存储单元执行感测操作;基于对目标存储单元执行感测操作后选中位线上的电压与参考电压的比较结果,确定是否对选中字线施加第四电压以及确定是否对未选中位线施加第五电压;第四电压大于第一电压,第五电压大于第三电压。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了:1.一种存储器,其特征在于,所述存储器包括存储单元阵列和与所述存储单元阵列耦接的外围电路;所述存储单元阵列包括多条位线、多条字线、位于多条所述位线以及多条所述字线之间的多个存储单元;所述外围电路被配置为: 响应于写入命令,对目标存储单元耦接的选中字线施加第一电压,对目标存储单元耦接的选中位线施加第二电压,并对未选中位线施加第三电压; 响应于所述写入命令,对所述目标存储单元执行感测操作; 基于对所述目标存储单元执行感测操作后所述选中位线上的电压小于参考电压,对所述选中字线施加第四电压,并对所述未选中位线施加第五电压;对所述目标存储单元执行置位操作或复位操作; 或,基于对所述目标存储单元执行感测操作后所述选中位线上的电压大于所述参考电压,不对所述选中字线施加所述第四电压,且不对所述未选中位线施加所述第五电压;对所述目标存储单元执行置位操作或复位操作; 其中,所述第四电压大于所述第一电压,所述第五电压大于所述第三电压。
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