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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411594500.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法是由段碧雯;孔金丞;江先燕;宋林伟;褚德亮;郑要争;董卫民;彭倩文;刘永传;姜军设计研发完成，并于2024-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法，其特征在于包括以下步骤：S1，晶片表面清洁，S2，晶片初始厚度测量，S3，贴保护膜，S4，分步腐蚀得到阶梯台面，S5，择优腐蚀液使切割损伤显现，S6，对晶片台阶表面进行观察和测试，S7，获得Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度。本发明方法测试精度高，可以检测到现有测试方法无法检测的亚损伤缺陷，制样及操作简单、省时，测试效率高。采用本发明方法，可对Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割工艺造成的损伤进行定量评估进而指导切割工艺的改进，同时可对Ⅲ‑Ⅴ族晶片表面处理工艺的去除量提供定量指导。

本发明授权一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法在权利要求书中公布了：1.一种Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法，其特征在于包括以下步骤： S1，晶片表面清洁： 取由Ⅲ‑Ⅴ族单晶材料切割得到的100晶片，依次进行三次丙酮涮洗和三次乙醇涮洗，并用氮气吹干备用； S2，晶片初始厚度测量： 用测厚仪对步骤S1晶片进行多点测厚，并记录数据为：D1, D2, D3,…, Dn； S3，贴保护膜： 在步骤S2晶片背面贴整张保护膜，实验全程保护背面不受腐蚀，并在晶片正面逐一并列贴上n条宽度相等、平行排列的保护膜； S4，分步腐蚀得到阶梯台面： 揭开步骤S3晶片正面的第n条保护膜，将晶片浸入非择优腐蚀液中，浸泡时间为Δt，取出后用超纯水冲洗；再揭开晶片正面的第n‑1条保护膜，在非择优腐蚀液中浸泡Δt时间，取出后用超纯水冲洗；如此重复，直至晶片正面只剩下一条保护膜； 所述非择优腐蚀液包括但不限于： 溴+甲醇的混合液，溴的体积浓度为1%~5%； 或者，溴+甲醇+乙二醇的混合液，三者的体积比为1:6:18； 或者，磷酸+过氧化氢的混合液，二者的体积比为1:1； S5，择优腐蚀液使切割损伤显现： 揭开步骤S4晶片正面最后一条保护膜后，将晶片在择优腐蚀液中浸泡3~5min，取出晶片并用大量超纯水冲洗，然后用氮气吹干； 所述择优腐蚀液如下： 对于GaSb 100晶片，其择优腐蚀液为：盐酸+过氧化氢+水的混合液，三者的体积比为2:2:1； 对于InAs 100晶片，其择优腐蚀液为：盐酸+硫酸的混合液，二者的体积比为1:1； S6，对晶片台阶表面进行观察和测试： 用非接触测量显微镜对步骤S5的阶梯状晶片台面进行厚度测试和表面形貌拍照，得到第1条到第n条保护膜覆盖下晶体的最终厚度依次为：d1, d2, d3,…, dn； S7，获得Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度： 根据步骤S6获得的表面形貌照片，观察到以下现象：随非择优腐蚀时间增加，晶片厚度下降的同时腐蚀坑密度也逐渐下降，但当腐蚀坑密度下降到一定程度后将不再随晶片减薄而发生变化，此时的腐蚀坑密度即为晶体内部的位错缺陷密度，说明晶片表面的切割损伤层已被完全去除；腐蚀坑密度下降到最小值所对应的最小晶片厚度差Δdi即为切割损伤深度Δdi=Di‑di。

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