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龙图腾网获悉江苏扬贺扬微电子科技有限公司申请的专利一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520314.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法是由陈春晖设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法，涉及半导体制造技术领域，该方法通过光刻及刻蚀制作出字线牺牲层，侧墙工艺制作出字线，光刻及刻蚀制作出选择管栅极，并要求选择管栅极的边缘正好落在字线中，且选择管覆盖的字线数量不等；然后去掉字线牺牲层，并对选择管栅极进行后续刻蚀，为确保边缘精确度和一致性，对选择管与字线交叠的部分，其边缘由字线的边缘定义，再根据设计及相应工艺流程结合，实现选择管与字线之间的距离通过控制字线曝光层的图形来决定，最后通过边缘字线设计被选择管覆盖，将边缘字线的不均匀性转移到内部字线上，优化整体均匀性。

本发明授权一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升NAND块字线及选择管均匀性的方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1、在NAND块里，同时存在字线，及选择管，二者都是NAND块串联沟道的栅极，使用光刻技术将选择管栅极的图案转移到基底材料上，然后通过刻蚀技术将图案转化为三维结构； 步骤2、在版图设计阶段，将选择管栅极的边缘设定在字线的几何中心线上，在加工过程中使栅极与字线之间对称； 步骤3、根据NAND的设计要求，在选择管栅极上覆盖不同数量的字线； 步骤4、去掉字线牺牲层，牺牲层是一种临时层，为在后续加工步骤中保护字线，去掉牺牲层后，字线独立于其他结构； 步骤5、对选择管栅极进行后续刻蚀，刻蚀完成后将选择管栅极的图案转移到基底材料上，并对头尾字线进行切断； 步骤6、完成刻蚀和字线切断步骤后，在远离字线方向的边缘由选择管曝光图形来定义选择管最终图案； 步骤7、对选择管与字线交叠的部分，在靠近字线的方向，由和选择管曝光图案有交叠的那个字线的边缘定义选择管的最终图案； 步骤8、根据步骤7和步骤8的结果，选择管的最终图案和字线之间的距离都是由字线曝光层定义的，通过调整曝光层的尺寸和位置，控制选择管与字线之间的间距； 步骤9、曝光层位置和尺寸调整完成后，用选择管覆盖边缘字线，将边缘字线的不均匀性转移到内部字线上。

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