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龙图腾网获悉江苏中科君芯科技有限公司申请的专利低翘曲应力的微沟槽型功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411724041.5，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权低翘曲应力的微沟槽型功率器件是由杨晓鸾;许生根;李哲锋;孔凡标;李磊设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本低翘曲应力的微沟槽型功率器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低翘曲应力的微沟槽型功率器件，对任一微沟槽型元胞，包括第一类沟槽单元以及第二类沟槽单元；在每个第一类沟槽内设置第一类导电多晶硅以及沟槽内绝缘介质层，第二类导电多晶硅与位于半导体基板正面上方的正面第一电极金属欧姆接触，第一类导电多晶硅与位于半导体基板正面上方的正面第二电极金属电连接，且第二类导电多晶硅通过沟槽内绝缘介质层与正面第一电极金属绝缘隔离。本发明能降低微沟槽型功率器件加工过程中的应力，避免翘曲导致的接触孔光刻套偏，获得高一致性的阈值电压和饱和压降。

本发明授权低翘曲应力的微沟槽型功率器件在权利要求书中公布了：1.一种低翘曲应力的微沟槽型功率器件，其特征是，所述微沟槽型功率器件包括： 半导体基板，呈第一导电类型； 有源区，包括若干并联分布的微沟槽型元胞，其中，对任一微沟槽型元胞，包括第一类沟槽单元以及第二类沟槽单元； 第一类沟槽单元至少包括两个第一类沟槽，第二类沟槽至少包括两个第二类沟槽，且第一类沟槽位于第二类沟槽之间； 在每个第一类沟槽内设置第一类导电多晶硅以及沟槽内绝缘介质层，其中，第一类导电多晶硅与所在第一类沟槽的内壁绝缘隔离，沟槽内绝缘介质层分布于所在第一类沟槽的槽口区域，第一类导电多晶硅位于沟槽内绝缘介质层与所在第一类沟槽的槽底之间，且沟槽内绝缘介质层与第一类导电多晶硅接触； 在每个第二类沟槽内设置第二类导电多晶硅，其中，第二类导电多晶硅与所在第二类沟槽的内壁绝缘隔离； 第二类导电多晶硅与位于半导体基板正面上方的正面第一电极金属欧姆接触，第一类导电多晶硅与位于半导体基板正面上方的正面第二电极金属电连接，且第一类导电多晶硅通过沟槽内绝缘介质层与正面第一电极金属绝缘隔离； 第一类沟槽、第二类沟槽从半导体基板的正面向所述半导体基板的背面方向垂直延伸，且第一类沟槽、第二类沟槽均贯穿分布于有源区内的第二导电类型基区，其中，第一类沟槽、第二类沟槽相应的槽底均位于第二导电类型基区的下方； 第二导电类型基区的底面位于沟槽内绝缘介质层与第一类导电多晶硅接触界面的下方； 对两个相邻的第一类沟槽，在所述第一类沟槽间的第二导电类型基区内设置若干第一导电类型发射区以及若干第二导电类型第一重掺杂区，其中，沿第一类沟槽的长度方向上，第一导电类型发射区与第二导电类型第一重掺杂区交替分布，且利用第二导电类型基区将第一导电类型发射区与第二导电类型第一掺杂区间隔； 第一导电类型发射区、第二导电类型第一重掺杂区与对应第一类沟槽的外壁接触； 第一导电类型发射区与所接触第一类沟槽内的第一类导电多晶硅交叠； 第一导电类型发射区以及第二导电类型第一重掺杂区与正面第一电极金属欧姆接触。

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