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龙图腾网获悉上海陆芯电子科技有限公司申请的专利一种场截止型IGBT器件以及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510038475.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种场截止型IGBT器件以及制造方法是由李豪;张杰设计研发完成，并于2025-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场截止型IGBT器件以及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场截止型IGBT器件以及制造方法。该器件包括半导体衬底；半导体衬底的第一表面包括第一漂移区；半导体衬底的第二表面包括集电区；半导体衬底还包括缓冲区，位于集电区远离第二表面的一侧；第一漂移区和缓冲区之间的半导体衬底复用为第二漂移区；第一漂移区的电阻率大于第二漂移区的电阻率，第二漂移区的电阻率大于缓冲区的电阻率；外延层，外延层位于半导体衬底的第一表面；外延层的第三表面包括发射区；外延层的第四表面包括基区；栅极结构，位于外延层的第三表面或者从第三表面延伸至发射区内。本发明实施例提供的技术方案有效减小了从漂移区到缓冲区的电场降幅，从而减小了场截止型IGBT器件的开关震荡。

本发明授权一种场截止型IGBT器件以及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种场截止型IGBT器件，其特征在于，包括： 半导体衬底，设置为第一导电类型；所述半导体衬底包括相对设置的第一表面和第二表面； 所述半导体衬底的第一表面包括第一漂移区，所述第一漂移区设置为第一导电类型； 所述半导体衬底的第二表面包括集电区，所述集电区设置为第二导电类型；所述半导体衬底还包括缓冲区，设置为第一导电类型，所述缓冲区位于所述集电区远离所述第二表面的一侧；所述第一漂移区和所述缓冲区之间的半导体衬底复用为第二漂移区；所述第一漂移区的电阻率大于所述第二漂移区的电阻率，所述第二漂移区的电阻率大于所述缓冲区的电阻率；所述第一导电类型为N型的情况下，所述第一漂移区为N‑‑掺杂区；所述第二漂移区为N‑半导体衬底；所述缓冲区为N型缓冲区；所述第一漂移区通过第二导电类型离子注入和退火工艺完成； 外延层，所述外延层位于所述半导体衬底的第一表面，设置为第一导电类型；所述外延层包括相对设置的第三表面和第四表面；所述外延层的第四表面和所述半导体衬底的第一表面接触； 所述外延层的第三表面包括发射区；所述外延层的第四表面包括基区，所述基区设置为第二导电类型，所述发射区和所述基区相邻设置； 栅极结构，位于所述外延层的第三表面或者从所述第三表面延伸至所述发射区内； 发射极，位于所述外延层远离所述半导体衬底的一侧； 集电极，位于所述半导体衬底的第二表面。

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