湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种MOSFET器件及其制作方法、版图排布结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622159.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种MOSFET器件及其制作方法、版图排布结构是由袁俊;吴阳阳;成志杰;郭飞;王宽;陈伟设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET器件及其制作方法、版图排布结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOSFET器件及其制作方法、版图排布结构，涉及半导体技术领域。在沟槽的底部和衬底之间的N型耐压层内设置P型埋层，P型埋层与源极电连接，解决了对沟槽栅极底部电场保护不足的问题，实现了在高漏极电压下对栅介质层的有效保护；并且由于P型埋层与沟道的底部之间具有间隔，所以电流还可以在沟槽的底部与P型埋层之间流动，不存在P型埋层的设计阻碍电流流动的问题，进而综合提高了MOSFET器件的工作性能。
本发明授权一种MOSFET器件及其制作方法、版图排布结构在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的N型耐压层；位于所述衬底背离所述N型耐压层一侧的漏极； 设置在所述N型耐压层背离所述衬底一侧表面内的P型阱区、源区以及沟槽栅极；所述沟槽栅极包括沟槽以及位于所述沟槽内的栅极，所述栅极与所述沟槽之间具有栅介质层； 所述源区包括N型源区和P型源区；所述N型源区位于所述P型阱区背离所述衬底的一侧，所述P型源区位于所述沟槽的两侧，所述沟槽贯穿所述N型源区以及所述P型阱区； 与所述N型源区和所述P型源区接触的源极； 位于所述N型耐压层内，且位于所述沟槽的底部与所述衬底之间的P型埋层；所述P型埋层与所述源极电连接，且所述P型埋层与所述沟槽的底部之间具有间隔； 所述P型源区与所述沟槽的侧壁以及与所述P型埋层接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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