中芯国际集成电路制造(上海)有限公司胡梅丽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311028637.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构及测试方法是由胡梅丽;何敏设计研发完成，并于2023-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：一种测试结构及测试方法，方法包括：晶体管结构，位于有源区中，包括位于基底顶部的栅极结构，以及位于栅极结构两侧的基底中的源极和漏极；源极插塞，位于源极上且与源极电连接；漏极插塞，位于漏极上；金属线，位于晶体管结构的上方、且位于源极插塞和漏极插塞的顶部上方，金属线包括待测金属线、源极互连线和漏极互连线，所述源极互连线和漏极互连线用于加载电流信号；测试信号线，位于所述源极互连线和漏极互连线的上方，所述测试信号线分别与所述源极互连线和漏极互连线相电连接，所述测试信号线用于量测电压信号，源极互连线和漏极互连线用于加载电流信号，准确获取晶体管结构对待测金属线的热耦合系数。
本发明授权测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括有源区； 晶体管结构，位于所述有源区中，包括位于所述基底顶部的栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的基底中的源极和漏极； 源极插塞，位于所述源极上且与所述源极电连接； 漏极插塞，位于所述漏极上且与所述漏极电连接； 金属线，位于所述晶体管结构的上方、且位于所述源极插塞和漏极插塞的顶部上方，所述金属线包括待测金属线、源极互连线和漏极互连线，所述源极互连线与所述源极插塞相电连接，所述漏极互连线与所述漏极插塞相电连接，所述源极互连线和漏极互连线用于加载电流信号； 测试信号线，位于所述源极互连线和漏极互连线的上方，所述测试信号线分别与所述源极互连线和漏极互连线相电连接，所述测试信号线用于量测电压信号。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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