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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411505929.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构及其测试方法是由谷东光设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体测试结构及其测试方法。本发明通过模拟静态随机存储器的版图结构，设计测试单元包括第一组晶体管与第二组晶体管，晶体管中连接至共享接触结构的有源区与栅极之间具有第一间距，并设计多个所述测试单元的第一间距逐渐增大，通过对测试单元中的第一晶体管及第二晶体管分别进行电性测试，以获取第一间距的工艺窗口参数。

本发明授权半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括多个测试单元，每一所述测试单元包括衬底以及形成于所述衬底上的第一组晶体管与第二组晶体管，所述衬底内包括沿第一方向并列排布的第一区域及第二区域； 所述第一组晶体管包括多个第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一有源区以及第一栅极，所述第一有源区位于所述第一区域、多个所述第一有源区沿第二方向延伸且间隔排布，所述第一栅极沿所述第一方向自所述第一区域延伸至所述第二区域、并与所述第一有源区部分重叠，其中，所述第二方向与所述第一方向形成夹角； 所述第二组晶体管包括多个第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二有源区以及第二栅极，所述第二有源区位于所述第二区域、多个所述第二有源区沿第二方向延伸且沿间隔排布、且所述第二有源区与所述第一有源区在第二方向上交错排布，所述第二栅极沿所述第一方向自所述第二区域延伸至所述第一区域、并与所述第二有源区部分重叠； 在第二方向上，所述第一有源区的边缘与相邻的所述第二栅极的边缘具有一第一间距，所述第二有源区的边缘与相邻的所述第一栅极的边缘具有所述第一间距； 所述第一有源区与相邻的所述第二栅极电连接至一第一共享接触结构，多个所述第一共享接触结构并联作为所述第一晶体管的源极引出端或所述第二晶体管的栅极引出端； 所述第二有源区与相邻的所述第一栅极电连接至一第二共享接触结构，多个所述第二共享接触结构并联作为所述第二晶体管的源极引出端或所述第一晶体管的栅极引出端； 多个所述测试单元的第一间距逐渐增大，通过对多个所述测试单元中的所述第一晶体管及所述第二晶体管进行电性测试，获取所述第一间距的工艺窗口参数。

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