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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利Test Key测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622765.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权Test Key测试结构是由洪炎铖;王奇伟;彭翔;程器设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本Test Key测试结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种TestKey测试结构，结构包括：有源区、接触孔及栅极结构，有源区包括多个在第一方向延伸且间隔排列的第一区域及多个在第二方向延伸的第二区域，第一区域与第二区域连接以使得有源区呈S型分布；多个间隔排列的栅极结构，栅极结构包括第一边缘栅极结构、第二边缘栅极结构及位于二者之间的中间栅极结构；接触孔形成于有源区，且相邻两个中间栅极结构之间形成有第一中间接触孔及第二中间接触孔，在第一边缘栅极结构远离中间栅极结构的一侧形成有第一端接触孔，在第二边缘栅极结构远离中间栅极结构的一侧形成有第二端接触孔。通过本发明解决了现有的测试结构无法反映接触孔真实情况的问题。

本发明授权Test Key测试结构在权利要求书中公布了：1.一种Test Key测试结构，其特征在于，所述结构包括：有源区、接触孔及栅极结构，所述有源区包括多个在第一方向延伸且在第二方向间隔排列的第一区域及多个在第二方向延伸的第二区域，其中，所述第一区域与第二区域连接以使得所述有源区呈S型分布； 多个间隔排列的所述栅极结构，其沿所述第二方向延伸，且均与所述有源区有重叠区域，其中，所述栅极结构包括第一边缘栅极结构、第二边缘栅极结构及位于二者之间的中间栅极结构； 所述接触孔形成于所述有源区，且相邻两个所述中间栅极结构之间的各第一区域内形成有至少两个沿第二方向间隔排列的中间接触孔，分别为第一中间接触孔及第二中间接触孔，在所述第一边缘栅极结构远离所述中间栅极结构的一侧形成有第一端接触孔，在所述第二边缘栅极结构远离所述中间栅极结构的一侧形成有第二端接触孔，其中，所述第一端接触孔位于S型所述有源区的起始端，所述第二端接触孔位于S型所述有源区的末端，且所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接，同一所述第一区域上的第二中间接触孔两两一组连接； 所述第一端接触孔、所述第一中间接触孔及所述第二端接触孔按照顺序两两一组连接时，是从所述第一端接触孔开始两个一组，按照从左到右，再从右到左，直至接连到第二端接触孔； 所述栅极结构包括多晶硅及形成于多晶硅两侧的侧墙。

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