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龙图腾网获悉宁波爱芯微电子有限公司申请的专利一种增强环路稳定性电路及低压差线性稳压器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119512302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411667316.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种增强环路稳定性电路及低压差线性稳压器芯片是由李富民;童红杰;徐建设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强环路稳定性电路及低压差线性稳压器芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强环路稳定性电路，涉及集成电路技术领域，包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5，NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4，M个串联的NMOS管，包括NMOS管NM5、NMOS管NM6、……、NMOS管NMM+4，N个串联的NMOS管，包括NMOS管NMM+5、NMOS管NMM+6、……、NMOS管MM+N+4，NMOS耗尽管NMOS1，电阻R1、电阻R2，电容C1，电流源IQ；本发明还公开了一种低压差线性稳压器芯片，设置上述增强环路稳定性电路。本发明增加了相位裕度，保证了稳定性。

本发明授权一种增强环路稳定性电路及低压差线性稳压器芯片在权利要求书中公布了：1.一种增强环路稳定性电路，其特征在于，包括：PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5，NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4，M个串联的NMOS管，包括NMOS管NM5、NMOS管NM6、……、NMOS管NMM+4，N个串联的NMOS管，包括NMOS管NMM+5、NMOS管NMM+6、……、NMOS管MM+N+4，NMOS耗尽管NMOS1，电阻R1、电阻R2，电容C1，电流源IQ； 所述PMOS管PM1、所述PMOS管PM2、所述PMOS管PM3、所述PMOS管PM4、所述PMOS管PM5的源极连接在一起接VDD，所述PMOS管PM1、所述PMOS管PM2、所述PMOS管PM3的的栅极与所述PMOS管PM1的漏极、所述电流源IQ的一端连接在一起，所述电流源IQ的另一端接地，所述PMOS管PM2的漏极与所述NMOS管NM2的漏极、栅极、所述N个串联的NMOS管的栅极、所述NMOS耗尽管NMOS1的栅极连接在一起，所述NMOS管NM2的源极接地，所述PMOS管PM3的漏极与所述NMOS管NM5的漏极、所述电容C1的一端、所述NMOS管NM1、所述NMOS管NM3、所述NMOS管NM4的栅极连接在一起，所述M个串联的NMOS管的栅极与所述电阻R1、所述电阻R2的一端连接在一起，所述NMOS管NM5的源极与所述NMOS管NM6的漏极连接，所述NMOS管NM6的源极与所述NMOS管NM7的漏极连接，依次类推，所述NMOS管NMM+3的源极与所述NMOS管NMM+4的漏极连接，所述NMOS管NMM+4的源极接地，所述电容C1的另一端与所述NMOS管NMM+5、所述NMOS管NM3的漏极连接在一起，所述NMOS管NMM+5的源极与所述NMOS管NMM+6的漏极连接，所述NMOS管NMM+6的源极与所述NMOS管NMM+7的漏极连接，以此类推， 所述NMOS管MM+N+3的源极与所述NMOS管MM+N+4的漏极连接，所述NMOS管MM+N+4的源极接地，所述NMOS管NM3的源极与所述NMOS管NM4的漏极连接，所述NMOS管NM4的源极接地，所述PMOS管PM4的栅极、漏极与所述PMOS管PM5的栅极、所述NMOS耗尽管NMOS1的漏极连接在一起，所述NMOS耗尽管NMOS1的源极与所述NMOS管NM1的漏极连接，所述NMOS管NM1的源极接地，所述PMOS管PM5的漏极与所述电阻R1的另外一端连接，所述电阻R2的另外一端接地。

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