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龙图腾网获悉中国人民解放军网络空间部队信息工程大学申请的专利一种芯片的自毁装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517850B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411629669.7，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种芯片的自毁装置及制造方法是由朱春生;张立朝;郭朋飞;钟晶鑫;严迎建设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的自毁装置及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片的自毁装置及制造方法，包括：芯片、穿硅通孔、二氧化硅层、金属微加热器层、第一聚对二甲苯层、第二聚对二甲苯层和背板层；穿硅通孔设置在芯片的厚度方向；芯片凹槽结构设置在芯片背面且位于相邻的穿硅通孔之间；二氧化硅层、金属微加热器层、第一聚对二甲苯层、第二聚对二甲苯层和背板层延芯片有源面朝向芯片背面的方向依次设置；二氧化硅层覆盖在芯片背面及芯片凹槽结构的凹槽内部；第二聚对二甲苯层覆盖在第一聚对二甲苯层及芯片凹槽结构的开口方向，将芯片凹槽结构密封为一个密封凹槽，在密封凹槽内设置有填充物；背板层覆盖在第二聚对二甲苯层的表面。以达到通过小体积的自毁装置对芯片进行有效自毁的目的。

本发明授权一种芯片的自毁装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的自毁装置，其特征在于，包括： 芯片1、穿硅通孔4、二氧化硅层5、金属微加热器层6、第一聚对二甲苯层7、第二聚对二甲苯层8和背板层10； 芯片1包括相对设置的芯片背面和芯片有源面101； 穿硅通孔4设置在芯片1的厚度方向，并贯通所述芯片背面与芯片有源面101； 芯片凹槽结构103设置在所述芯片背面且位于相邻的穿硅通孔4之间； 二氧化硅层5、金属微加热器层6、第一聚对二甲苯层7、第二聚对二甲苯层8和背板层10沿芯片有源面101朝向所述芯片背面的方向依次设置； 二氧化硅层5覆盖在所述芯片背面及芯片凹槽结构103的凹槽内部； 金属微加热器层6覆盖在穿硅通孔4之间的二氧化硅层5上； 第一聚对二甲苯层7覆盖在二氧化硅层5及金属微加热器层6的表面； 第二聚对二甲苯层8覆盖在第一聚对二甲苯层7及芯片凹槽结构103的开口方向，将芯片凹槽结构103密封为一个密封凹槽，在所述密封凹槽内设置有用于自毁的填充物； 背板层10覆盖在第二聚对二甲苯层8的表面。

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