中芯国际集成电路制造(上海)有限公司苏柏青获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及掩膜版版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311022994.2，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及掩膜版版图是由苏柏青;姚柳;林保均;刘新鑫;李若园设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及掩膜版版图在说明书摘要公布了：一种半导体结构及掩膜版版图，结构包括：基底，包括衬底、以及凸于衬底的多个沟道结构，沟道结构沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；栅极结构，位于衬底上且横跨多个沟道结构，栅极结构沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的沟道结构中；源漏互连线，位于相邻栅极结构之间，源漏互连线沿第二方向延伸横跨多个源漏掺杂层且与其电连接；隔断结构，沿第一方向延伸贯穿一个或多个源漏互连线、且在第二方向上隔断位于其两侧的源漏互连线，在源漏互连线被隔断位置处，隔断结构具有沿第二方向延伸且贯穿源漏互连线的凸出部。本发明有利于提高半导体结构的工作频率。
本发明授权半导体结构及掩膜版版图在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括衬底、以及凸于所述衬底的多个沟道结构，所述沟道结构沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布，所述第一方向垂直于所述第二方向； 栅极结构，位于所述衬底上且横跨多个所述沟道结构，所述栅极结构沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行排布； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的沟道结构中； 源漏互连线，位于相邻所述栅极结构之间，所述源漏互连线沿所述第二方向延伸横跨多个所述源漏掺杂层且与其电连接； 隔断结构，沿所述第一方向延伸贯穿一个或多个所述源漏互连线、且在所述第二方向上隔断位于其两侧的所述源漏互连线，在所述源漏互连线被隔断位置处，所述隔断结构具有沿所述第二方向延伸且贯穿所述源漏互连线的凸出部。
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