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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411722258.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及电子设备是由陈伟;郭飞;王宽;成志杰;吴阳阳;袁俊设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及电子设备，涉及半导体器件技术领域。P型外延层、第一P型掩蔽层和第二P型掩蔽层接地，在反向耐压时能够得到更好的电场屏蔽效果，且在开关过程中能够避免P型外延层、第一P型掩蔽层和第二P型掩蔽层因浮空而产生电压跳变，从而避免器件开关特性退化。并且，在两个沟槽MOSFET区之间引出一个结控续流二极管区，集成的结控续流二极管的导通压降会低于器件的体二极管，从而会屏蔽体二极管的导通；并且该结控续流二极管为单极性器件，不存在少子存储效应，并且反向恢复时间较短，能够降低器件的开关损耗，从而提高了沟槽型MOSFET器件的性能。

本发明授权集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种集成结控二极管的沟槽型MOSFET器件，其特征在于，沟槽型MOSFET器件包括：沿第一方向设置的两个沟槽MOSFET区，且两个所述沟槽MOSFET区之间包括结控续流二极管区； 沿第三方向依次堆叠的漏极、N型衬底、第一N型外延层、P型外延层和第二N型外延层： 其中，在所述沟槽MOSFET区处，所述P型外延层包括沿第二方向设置的至少一个N型电流通道；位于所述第二N型外延层上的P型阱区；位于所述P型阱区上的源极接触区，所述源极接触区包括源极N+区和源极P+区；贯穿所述源极接触区和所述P型阱区、且深入所述第二N型外延层的沟槽栅电极；位于所述沟槽栅电极的底部第二P型掩蔽层；连接所述第二P型掩蔽层与所述P型外延层的第一P型接地柱；及覆盖所述沟槽栅电极的顶部的层间介质层；所述第一方向和所述第二方向在参考平面相交，且所述第三方向与所述参考平面相交； 在所述结控续流二极管区处包括位于所述第二N型外延层内且与所述P型外延层连通的第一P型掩蔽层，所述第一P型掩蔽层与所述P型阱区连通； 以及，位于所述源极接触区背离所述N型衬底一侧的源极。

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