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龙图腾网获悉长春长光辰谱科技有限公司申请的专利一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411594000.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法是由杨海贵;杨飞;张卓;林弘杨设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法在说明书摘要公布了：本发明创造涉及属于光学薄膜技术领域，具体提供一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法，包括：清洁CMOS成像芯片内的裸片，利用负性光刻胶掩盖住裸片表面的电极区域，在裸片表面的感光区域沉积滤光膜堆，刻蚀掉单个分光单元区域之外的滤光膜堆，保留的滤光膜堆形成一个光谱通道，在感光区域的其他分光单元分别制备其他光谱通道，清洁加工后的裸片并重新封装在CMOS成像芯片内；本发明解决成像芯片与像元级光谱滤光片集成时由于对准误差导致的光谱串扰、芯片与滤光片间的空气隙引起的牛顿环等问题，提高CMOS光谱成像芯片光谱成像质量。

本发明授权一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS成像芯片上像元级光谱分光制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将裸片从CMOS成像芯片中取出，清洁裸片，根据所述裸片表面的电极区域和感光区域分布，设计第一掩膜版，所述第一掩膜版设计为能够覆盖住所述感光区域，将第一掩膜版覆盖在裸片表面，利用光刻工艺在所述电极区域覆盖负性光刻胶，去除第一掩膜版； S2：在所述感光区域表面划分m×m个周期性排布的分光阵列，在每个分光阵列中划分n×n个分光单元，每个分光单元对应感光区域中的a×a个像元，其中m、n和a均为大于等于1的整数； S3：设计第二掩膜版，所述第二掩膜版设计为能够覆盖住感光区域中第一分光阵列中的第一分光单元，将所述第二掩膜版覆盖在感光区域表面，利用薄膜沉积工艺在覆盖了所述第二掩膜版的感光区域表面沉积刻蚀停止层，去除第二掩膜版，利用薄膜沉积工艺在感光区域沉积第一滤光膜堆，所述第一滤光膜堆由高折射率材料薄膜、低折射率材料薄膜交替叠加而成，所述第一滤光膜堆的总厚度为1μm～10μm； S4：设计第三掩膜版，所述第三掩膜版设计为覆盖除第一分光阵列中第一分光单元之外的其他感光区域，利用薄膜沉积工艺在覆盖了所述第三掩膜版的感光区域表面沉积金属掩膜层，然后去除所述第三掩膜版，利用化学反应离子束刻蚀工艺刻蚀第一滤光膜堆，直至所述刻蚀停止层处停止，去除金属掩膜层和刻蚀停止层，所述第一分光单元上留下的第一滤光膜堆构成第一光谱通道； S5：重复步骤S3～S4，重复n2‑1次，在第一分光阵列的其他分光单元中分别制备光谱通道，每个光谱通道用于通过预定波长的光； S6：重复步骤S3～S5，重复m2‑1次，在感光区域的其他分光阵列中分别制备光谱通道，每个分光阵列中对应的光谱通道排列方式相同； S7：去除电极区域的光刻胶，并清洁加工后的裸片表面，将加工后的裸片封装进CMOS成像芯片内。

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