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龙图腾网获悉电子科技大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581404B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411789648.1，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法是由章文通;坤雨潇;慕江南;胡哲恺;谭开洲;乔明;李肇基;张波设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法，通过在LDMOS区与高压电路之间刻槽后填充介质和多晶硅，构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板均匀分布在第三介质氧化层实现了LDMOS区与高压电路区的隔离，相对于传统PN结隔离节省面积；且纵向浮空场板通过第一金属条使高压结终端的电位与LDMOS的电位相关联实现电位均匀分布，实现更强的电压耦合，提高耐压。

本发明授权一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件，其特征在于包括： 第一导电类型半导体接触区11、第一导电类型阱区12、第一导电类型半导体衬底13、第二导电类型半导体接触区A21、第二导电类型半导体接触区B22、第二导电类型阱区A23、第二导电类型漂移区A24、第二导电类型半导体接触区C25、第二导电类型阱区B26、第二导电类型漂移区B27、第一介质氧化层31、第二介质氧化层32、第三介质氧化层33、第四介质氧化层34、控制栅多晶硅电极41、第一多晶硅电极42、第二多晶硅电极43、第一金属条51、第二金属条52； 其中第二导电类型漂移区A24位于第一导电类型半导体衬底13上方，第一导电类型阱区12位于第二导电类型漂移区A24左侧，第二导电类型阱区A23位于第二导电类型漂移区A24右侧，第一导电类型半导体接触区11和第二导电类型半导体接触区A21位于第一导电类型阱区12内，第二导电类型半导体接触区B22位于第二导电类型阱区A23内，第二导电类型漂移区B27位于第一导电类型半导体衬底13上方，第二导电类型阱区B26位于第二导电类型漂移区B27右侧，第二导电类型半导体接触区C25位于第一导电类型阱区B26内；第一介质氧化层31位于第一导电类型阱区12上方，并且左端与第二导电类型半导体接触区A21相接触、右端与第二导电类型漂移区A24相接触，第二介质氧化层32位于第二导电类型漂移区A24上表面，第三介质氧化层33位于高压区与LDMOS区之间，第四介质氧化层34为不封闭的矩形，围绕高压区，分隔开高压区与LDMOS区；控制栅多晶硅电极41覆盖在第一介质氧化层31上表面并部分延伸至第二介质氧化层32的上表面；第三介质氧化层33和第一多晶硅电极42以及第四介质氧化层34和第二多晶硅电极43分别构成隔离区的纵向浮空场板，且第三介质氧化层33和第四介质氧化层34分别包围第一多晶硅电极42和第二多晶硅电极43，所述纵向浮空场板分布在整个第三介质氧化层33和第四介质氧化层34；第一金属条51位于第三介质氧化层33上表面，将第三介质氧化层33和第一多晶硅电极42形成的纵向浮空场板通过第一金属条51相连，并且第一金属条51延伸至LDMOS区内第二介质氧化层32上表面，并在此均匀分布；第二金属条52位于第四介质氧化层34上表面，将第三介质氧化层34和第二多晶硅电极43形成的纵向浮空场板通过第二金属条52相连。

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