广州增芯科技有限公司蒋小涵获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种晶圆级混合键合方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119581406B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411670753.3,技术领域涉及:H01L21/768;该发明授权一种晶圆级混合键合方法是由蒋小涵;杨林荣;谢静怡;李玉堂设计研发完成,并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级混合键合方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种晶圆级混合键合方法,包括:在第一晶圆上依次形成半导体器件层、互连层、第一钝化层及第一钝化层中的第一键合金属层,对第一钝化层和第一键合金属层进行第一化学机械研磨,提高第一键合金属层相对于第一钝化层的研磨速度,以形成第一键合金属层的曲面凹面结构;在第二晶圆上依次形成半导体器件层、互连层、第二钝化层及第二钝化层中的第二键合金属层,并对第二钝化层和第二键合金属层进行第二化学机械研磨,提高第二钝化层相对于第二键合金属层的研磨速度,以形成第二键合金属层的曲面凸点结构。将曲面凸点结构键合到相应的曲面凹面结构中,以实现第一晶圆与第二晶圆的键合。由于键合面为曲面,从而提高了键合强度。
本发明授权一种晶圆级混合键合方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆级混合键合方法,其特征在于,包括: 提供第一晶圆和第二晶圆,且所述第一晶圆和所述第二晶圆均已在衬底上形成半导体器件层和互连层,其中,所述互连层包括顶层互连层; 在所述第一晶圆与所述第二晶圆的顶层互连层的表面分别形成第一钝化层和第二钝化层; 对所述第一钝化层与所述第二钝化层分别进行刻蚀,以分别形成若干第一凹槽与若干第二凹槽,其中,所有第一凹槽和所有第二凹槽的刻蚀终点均停留在对应的顶层互连层的表面,且各第一凹槽和各第二凹槽在位置上相对应; 在所有的第一凹槽内均形成第一键合金属层,且所述第一键合金属层和所述第一钝化层齐平,以作为所述第一晶圆的键合面;及在所有的第二凹槽内均形成第二键合金属层,且所述第二键合金属层和所述第二钝化层齐平,以作为所述第二晶圆的键合面; 对所述第一晶圆的键合面进行第一化学机械研磨,且所述第一键合金属层的研磨速度大于所述第一钝化层的研磨速度,以使得所述第一键合金属层相较于所述第一钝化层凹陷而形成曲面凹面结构; 对所述第二晶圆的键合面进行第二化学机械研磨,且所述第二键合金属层的研磨速度小于所述第二钝化层的研磨速度,以使得所述第二键合金属层相较于所述第二钝化层凸出而处形成曲面凸点结构; 将所述第一晶圆与所述第二晶圆进行键合,所述曲面凸点键合到相对应的所述曲面凹面结构中。
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