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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利闪存器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411681590.9，技术领域涉及：H10B41/40；该发明授权闪存器件的制备方法是由杜怡行;宋婉;王壮壮;姚春;顾林设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种闪存器件的制备方法，在制备栅氧化层之前，对外围逻辑区露出的隔离结构表面进行至少两次离子倾斜注入工艺，以使外围逻辑区的隔离结构的两侧顶角有源区边缘与注入的掺杂离子完全接触，改善有源区边缘区域的离子浓度分布，Si‑掺杂离子构成的键中存在Si空位，空位有利于SiO2Si界面上发生氧化反应，从而使得后续高温炉管氧化工艺制备栅氧化层的工艺中，隔离结构两侧顶角的栅氧化层的生长速度大于远离隔离结构顶角的衬底表面上的栅氧化层的生长速度，使得有源区边缘的栅氧化层生长增厚，进而减小有源区边缘处的电场分布，从而改善靠近隔离结构的两侧顶角的栅氧化层的形貌和轮廓以及器件的TDDB性能。

本发明授权闪存器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包含存储区和外围逻辑区，所述衬底表面依次形成有衬垫氧化层和浮栅材料层，其中，所述浮栅材料层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述衬底中形成有多个隔离结构； 刻蚀去除所述存储区的一定厚度的隔离结构，其中，所述存储区的剩余厚度的隔离结构凸出于所述衬底表面一定的高度； 形成ONO介质层，所述ONO介质层覆盖所述存储区的浮栅材料层和隔离结构，以及所述外围逻辑区的浮栅材料层和隔离结构； 刻蚀去除所述外围逻辑区的ONO介质层、浮栅材料层、一定厚度的隔离结构和衬垫氧化层； 在所述存储区的ONO介质层上以及所述外围逻辑区的衬底表面和隔离结构上涂覆光刻胶层； 在所述光刻胶层上定义用于离子注入的开口图形，得到图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层打开所述外围逻辑区的隔离结构； 以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述外围逻辑区露出的隔离结构表面进行至少两次离子倾斜注入工艺，以使所述外围逻辑区的隔离结构的两侧顶角均与注入的掺杂离子完全接触； 去除所述图案化的光刻胶层；以及通过高温炉管氧化工艺在所述外围逻辑区的所述衬底表面形成栅氧化层，其中，靠近所述隔离结构两侧顶角的栅氧化层的厚度大于远离所述隔离结构顶角的栅氧化层的厚度。

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