华中科技大学罗为获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119595715B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411642292.9，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法是由罗为;陈曦;陈凯欣设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气体传感器技术领域，提出了一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料为SnO2‑CuO或ZnO‑CuO复合材料。本发明制备的Cu离子掺杂的SnO2‑CuO和ZnO‑CuO复合薄膜，CuO与H2S的反应不依赖于氧气，CuO可直接与H2S反应生成CuS，所以能够在真空条件下实现高效的H2S气体检测。这一机制使得该传感器特别适合在航天器、深空探测等需要在低氧或真空条件下进行气体检测的应用场景。
本发明授权一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种真空环境下利用传感器检测H2S气体的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将传感器置于密闭的腔体内，腔体内设有UV‑LED，且UV‑LED照射SnO2‑CuO或ZnO‑CuO薄膜表面； S2，腔体抽真空至10‑3Pa，然后注入H2S气体，在真空下条件下进行H2S气体的检测。
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