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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604007B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411876481.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率器件及其制作方法是由徐少东;李明哲;袁俊设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种功率器件及其制作方法，该功率器件包括：氧化镓衬底；位于氧化镓衬底第一侧表面的N型氧化镓外延层；位于氧化镓外延层表面的P型氮化镓层，P型氮化镓层中具有沟槽，P型氮化镓层包括第一区域和第二区域，第一区域位于相邻沟槽之间，第二区域位于沟槽的底部；位于P型氮化镓层第一区域表面内的第一N型氮化镓层和位于P型的氮化镓层第二区域表面内的第二N型氮化镓层；至少覆盖第二N型氮化镓层和第一N型氮化镓层部分区域的栅介质层和栅电极层；与第一N型氮化镓层电连接的源电极层；与氧化镓衬底远离氧化镓外延层一侧电连接的漏电极层。该功率器件结合了GaN和Ga2O3材料优势，具有更优的性能。

本发明授权一种功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件，其特征在于，包括： 氧化镓衬底； 位于所述氧化镓衬底第一侧表面的N型氧化镓外延层； 位于所述N型氧化镓外延层远离所述氧化镓衬底一侧表面的P型氮化镓层，所述P型氮化镓层中具有沟槽，所述P型氮化镓层包括平行于所述氧化镓衬底所在平面的第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻所述沟槽之间，所述第二区域位于所述沟槽的底部； 位于所述P型氮化镓层第一区域表面内的第一N型氮化镓层和位于所述P型的氮化镓层第二区域表面内的第二N型氮化镓层，在垂直于所述氧化镓衬底所在平面的方向上，所述第一N型氮化镓层和所述第二N型氮化镓层的厚度之和小于所述P型氮化镓层的厚度，所述第二N型氮化镓层与所述N型氧化镓外延层接触； 至少覆盖所述第二N型氮化镓层和所述第一N型氮化镓层的部分区域的栅介质层和栅电极层，所述栅介质层位于所述栅电极层和所述第二N型氮化镓层之间； 与所述第一N型氮化镓层电连接的源电极层，所述源电极层与所述栅电极层电绝缘； 与所述氧化镓衬底远离所述N型氧化镓外延层一侧电连接的漏电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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