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龙图腾网获悉希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司申请的专利一种硅光调制器及其补偿掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411882735.1，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权一种硅光调制器及其补偿掺杂方法是由史弘康;李磊;张晓波;陈泽;方舟设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅光调制器及其补偿掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅光调制器，包括依次堆叠的硅衬底、绝缘氧化物层、顶层硅波导调制区和顶层覆盖氧化物层，所述顶层硅波导调制区沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区。本发明还公开一种硅光调制器的补偿掺杂方法。优点，通过斜向离子注入的方式对平板区进行补偿掺杂，可以同时达到硅光调制器带宽提升和调制效率提高的效果。并且与此类硅光调制器的单带宽优化方案以及单效率优化方案相比，此方法引入的额外插损均没有明显增加。

本发明授权一种硅光调制器及其补偿掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光调制器的补偿掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、制备光刻胶掩膜，然后选定顶层硅波导调制区2中心位置，去除中心位置一侧光刻胶； S2、将V族元素离子沿着硅衬底4的法线方向注入到顶层硅波导调制区2的硅材料中，在顶层硅波导调制区2中形成n型主掺杂区； S3、调整V族元素离子的注入浓度和注入能量，将V族元素离子由有光刻胶一侧向无光刻胶一侧斜向注入到顶层硅波导调制区2中，注入方向与硅衬底4的法线方向呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于80°；其中，V族元素离子做两次镜像斜向注入； S4、重新制备光刻胶掩膜，去除顶层硅波导调制区2中心位置第一侧的光刻胶； S5、将III族元素离子沿着硅衬底4的法线方向注入到顶层硅波导调制区2的硅材料中，在顶层硅波导调制区2中形成p型主掺杂区； S6、调整III族元素离子的注入浓度和注入能量，将III族元素离子由有光刻胶一侧向无光刻胶一侧斜向注入到顶层硅波导调制区2中，注入方向与硅衬底4的法线方向呈第二夹角，所述第二夹角大于0°且小于80°； S7、重新制备光刻胶掩膜，去除顶层硅波导调制区2中心位置第二侧的光刻胶； S8、将III族元素离子沿着硅衬底4的法线方向注入到顶层硅波导调制区2的硅材料中，在顶层硅波导调制区2中形成p型主掺杂区； S9、调整III族元素离子的注入浓度和注入能量，将III族元素离子由有光刻胶一侧向无光刻胶一侧斜向注入到顶层硅波导调制区2中，注入方向与硅衬底4的法线方向呈第三夹角，所述第三夹角大于0°且小于80°； S10、在顶层硅波导上方，沉积一层氧化硅做掩膜，在调制器波导调制区中心位置两侧刻蚀出带有平板区域的脊形波导结构； S11、接着在上方沉积一层薄的屏蔽氧化层11，制备光刻胶掩膜，调整III族元素离子的注入浓度和注入能量，沿着硅衬底4的法线方向将III族元素离子注入到顶层硅波导调制区2的硅材料中，在顶层硅波导调制区2中形成p型重掺杂区；接着，重新制备光刻胶掩膜后，调整V族元素离子的注入浓度和注入能量，沿着硅衬底4的法线方向将V族元素离子注入到顶层硅波导调制区2的硅材料中，在顶层硅波导调制区2中形成n型重掺杂区； S12、硅片升温，离子活化，退火降温； S13、在整个器件上方沉积一层覆盖氧化硅层1； 所述硅光调制器，包括依次堆叠的硅衬底4、绝缘氧化物层3、顶层硅波导调制区2和顶层覆盖氧化物层1，所述顶层硅波导调制区2沿第一方向依次包括p型重掺杂区、p型主掺杂区、n型主掺杂区、n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区。

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