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龙图腾网获悉武汉凌久微电子有限公司申请的专利一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119621448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411699353.5，技术领域涉及：G06F11/22；该发明授权一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法是由王翠;秦信刚;张磊设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法，包括：DDR系统初始化；对DDR系统进行显存测试，显存测试通过，无需调整；显存测试不通过，若是RX方向的操作出错，则调整DRAM侧的输出驱动阻抗ODI；若是TX方向的操作出错，若向DRAM侧中写入0，被判断为1，则调高参考电压Vref；若向DRAM中写入1，被判断为0，则调低参考电压Vref。本发明根据显存测试的结果自动调整DDRVref，为Vref的调整提供可靠的理论依据，可缩短存储系统及芯片的调试周期，同时提升DDR数据的可靠性，提高系统整体的稳定性，只需选择一个存储系统的最高频率进行调试，无需逐个频率调试。

本发明授权一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法在权利要求书中公布了：1.一种基于显存测试结果的DDR参考电压自动调整方法，其特征在于，包括： 步骤1，DDR系统上电时，基于一个存储系统可用的最高时钟频率配置DDR系统的时钟及复位； 步骤2，基于显存测试工具对DDR系统进行显存测试，若显存测试通过，则无需调整DDR系统的参考电压Vref；若显存测试不通过，则执行步骤3； 步骤3，判断是否是RX方向的操作出错，若是，则调整DRAM侧的输出驱动阻抗ODI与PHY侧的输出驱动阻抗ODI一致，调整后，重复执行步骤1~步骤3，直到读测试通过；若不是，则是TX方向的操作出错，执行步骤4； 步骤4，若向DRAM侧中写入0，被判断为1，则调高参考电压Vref；若向DRAM中写入1，被判断为0，则调低参考电压Vref；调整参考电压Vref后，重复执行步骤1~步骤4，直到显存测试通过； 所述步骤2，基于显存测试工具对DDR系统进行显存测试，若显存测试通过，则无需调整DDR系统的参考电压Vref，包括： 基于显存测试工具对DDR系统进行0遍历测试和1遍历测试，所述0遍历测试是指向DRAM中全部写入0，再逐个读出和预期值0进行对比，如测试结果不通过则表明0被误读或者误写成1；所述1遍历测试是指向DRAM中全部写入1，再逐个读出和预期值1进行对比，如测试结果不通过则表明1被误读或者误写成0； 若对DRAM的0遍历测试和1遍历测试均测试通过，则无需调整DDR系统的参考电压Vref； 所述步骤3，判断是否是RX方向的操作出错，若是，则调整DRAM侧的输出驱动阻抗ODI与PHY侧的输出驱动阻抗ODI一致，包括： 若显存测试出错，先判断RX方向的操作是否有问题，根据显存测试工具的打印信息，随机选取一个出错的地址，向该出错的地址单次写入一个值，连续读出多次，若多次读取的结果一致，则表明读操作没有出错，如多次读出的值不一致，则表明RX方向的操作出错，则将DRAM侧的输出驱动阻抗ODI调整为与PHY侧的输出驱动阻抗ODI一致。

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