西安电子科技大学胡彦飞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高深宽比的碳化硅pn结结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673762B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411619336.6，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种高深宽比的碳化硅pn结结构及其制备方法是由胡彦飞;王佳硕;张玉明;马云诚设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高深宽比的碳化硅pn结结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高深宽比的碳化硅pn结结构及其制备方法，该制备方法包括：在碳化硅基片的上表面形成图案化的第一掩膜层；在碳化硅基片未被覆盖的上表面刻蚀形成第一深沟槽并在第一深沟槽内部以及碳化硅基片的上表面回填第一碳化硅外延层；去除碳化硅基片的上表面的第一碳化硅外延层和第一掩膜层；在第一碳化硅外延层的上表面中部刻蚀形成第二深沟槽；在碳化硅基片的上表面以及第二深沟槽的内部回填第二碳化硅外延层；去除碳化硅基片上表面的第二碳化硅外延层，形成碳化硅pn结结构。本发明的制备方法包括两次较大线宽的刻蚀和两次外延回填，通过对两次刻蚀线宽的控制可以控制最终pn结的深宽比，得到高深宽比的碳化硅pn结结构。
本发明授权一种高深宽比的碳化硅pn结结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比的碳化硅pn结结构的制备方法，其特征在于，包括： S1：选取碳化硅基片并在所述碳化硅基片的上表面形成图案化的第一掩膜层； S2：在所述碳化硅基片未被所述第一掩膜层覆盖的上表面刻蚀形成第一深沟槽并在所述第一深沟槽内部以及所述碳化硅基片的上表面回填第一碳化硅外延层； S3：对包覆有第一碳化硅外延层的碳化硅基片进行减薄，去除所述碳化硅基片的上表面的第一碳化硅外延层和第一掩膜层； S4：在所述第一碳化硅外延层的上表面中部刻蚀形成第二深沟槽； S5：在所述碳化硅基片的上表面以及所述第二深沟槽的内部回填第二碳化硅外延层； S6：去除所述碳化硅基片上表面的第二碳化硅外延层，形成碳化硅pn结结构。
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