浙江大学绍兴研究院张睿获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学绍兴研究院申请的专利基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703618.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法是由张睿;陈兴聪设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法，基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构的制备方法包括：在硅衬底上沉积SiO2硬掩模；通过光刻和刻蚀工艺去除SiO2硬掩模的特定区域，直至硅衬底表面形成预设的刻蚀窗口；通过刻蚀工艺，在刻蚀窗口中刻蚀裸露的硅衬底，从而形成四棱台形状的散热硅通孔；在散热硅通孔上依次沉积第一TiN阻挡层、VO2相变材料层、第二TiN阻挡层、Cu种子层和Cu填充层。本发明公开的基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法，实现了脉冲式高能量密度芯片中的热量的高效耗散。
本发明授权基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料和TTSV结构的脉冲芯片散热结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：在硅衬底上沉积SiO2硬掩模； 步骤S2：通过光刻和刻蚀工艺去除SiO2硬掩模的特定区域，直至硅衬底表面形成预设的刻蚀窗口； 步骤S3：通过刻蚀工艺，在刻蚀窗口中刻蚀裸露的硅衬底，从而形成四棱台形状的散热硅通孔； 步骤S4：在散热硅通孔上沉积第一TiN阻挡层； 步骤S5：在第一TiN阻挡层上沉积VO2相变材料层； 步骤S6：在VO2相变材料层上沉积第二TiN阻挡层； 步骤S7：在第二TiN阻挡层上沉积Cu种子层； 步骤S8：在Cu种子层上填充Cu，从而得到Cu填充层，最终完成制备。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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