电子科技大学吴双红获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119689761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510034780.X，技术领域涉及：G02F1/29；该发明授权基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵及其制备方法是由吴双红;韩廷杰;李炳文;汪相如;胡明刚;王智勇设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵及其制备方法，涉及液晶光学相控阵技术，其目的在于解决现有的液晶光学相控阵在中红外波段透过率较低的问题，包括：上基板组件、液晶分子层和下基板组件；上基板组件包括：上基板外表面中红外增透膜、上基板、上基板内表面中红外增透膜、上CIO公共电极层和上取向层；下基板组件包括：下取向层、下CIO电极层、下基板内表面中红外增透膜、下基板、下基板外表面中红外增透膜。相比于常见的基于ITO导电薄膜的液晶光学相控阵，本申请的基于CIO导电薄膜与中红外增透膜的液晶光学相控阵在中红外波段拥有更高的透过率，能够有效降低整个液晶相控阵对光的损耗。
本发明授权基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于CIO导电薄膜的中红外液晶光学相控阵，其特征在于：包括自上而下依次设置的上基板组件、液晶分子层6和下基板组件； 上基板组件包括：自上至下依次设置的上基板外表面中红外增透膜1、上基板2、上基板内表面中红外增透膜3、上CIO公共电极层4和上取向层5； 下基板组件包括：自上至下依次设置的下取向层8、下CIO电极层、下基板内表面中红外增透膜10、下基板11、下基板外表面中红外增透膜12； 还包括位于液晶分子层6外侧的框胶14，上基板组件与下基板组件之间通过框胶14进行密封封装； 框胶14中掺杂有间隔子7，上基板组件与下基板组件通过间隔子7进行支撑； 所述间隔子7用来控制液晶分子层6厚度，间隔子7的大小根据液晶分子层6中的液晶材料的双折射率差来确定，且液晶分子层6中液晶材料的双折射率差与液晶分子层6厚度的乘积大于所使用的工作电磁波波长。
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