济南晶正电子科技有限公司梁龙跃获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利薄膜结构及其制备方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411848951.4，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权薄膜结构及其制备方法、电子器件是由梁龙跃;刘亚明;胡文设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜结构及其制备方法、电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种薄膜结构及其制备方法、电子器件，涉及半导体元件技术领域。该薄膜结构包括支撑结构以及设置在支撑结构上的薄膜层；薄膜层包括并列排布的铌酸锂薄膜层和掺杂铌酸锂薄膜层。本申请用于能够在降低铌酸锂晶体的电阻的同时，也会保证电子器件的电光调制效率，进而提高电子器件的性能。
本发明授权薄膜结构及其制备方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种薄膜结构，其特征在于，包括：支撑结构以及设置在所述支撑结构上的薄膜层； 所述薄膜层包括并列排布的铌酸锂薄膜层和掺杂铌酸锂薄膜层，所述铌酸锂薄膜层和所述掺杂铌酸锂薄膜层沿第一方向排布，且直流偏置区位于所述掺杂铌酸锂薄膜层中，高频调制区位于所述铌酸锂薄膜层中； 所述薄膜层还包括波导结构，所述波导结构跨设所述铌酸锂薄膜层和所述掺杂铌酸锂薄膜层。
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