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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种功率模块及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830126.1，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种功率模块及其制造方法是由徐建明;王欣远;牟运;尹明魁;刘瑞杰;丘海发;郭添鹏设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率模块及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率模块及其制造方法，涉及功率模块的技术领域。本发明所述方法包括以下步骤：S1：将功率芯片的漏极通过粘接剂粘接在基板的表面；S2：将第一模具与功率芯片的表面接触；在第一模具与功率芯片之间形成封装功率模块腔室；然后向封装功率模块腔室内填充塑封料以完成塑封工艺；S3：将第一模具去除；S4：将第二模具覆盖在功率芯片表面的源电极和栅电极之间，进行双面种子层溅射，获得种子层；S5：将第二模具去除，将带有种子层的功率芯片浸入电镀液中沉积，在功率芯片种子层表面形成电镀金属层，即得功率模块。本发明所述方法可以实现免激光打孔，避免激光开孔对于芯片表面电极造成的损伤，减少了清洁、激活等步骤。

本发明授权一种功率模块及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种功率模块的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将功率芯片的漏极通过粘接剂粘接在基板的表面； S2：将第一模具与基板进行嵌合并与功率芯片的表面接触，在第一模具与功率芯片之间形成封装功率模块腔室；然后向封装功率模块腔室内填充塑封料，并对所述塑封料进行固化和脱模；所述第一模具根据功率芯片和基板的结构设计且其上设有用于与基板嵌合的定位孔和支架；所述第一模具与栅电极和源电极的表面紧密接触； S3：将第一模具去除，由于第一模具在芯片电极上方形成掩蔽，功率芯片的表面实现了无损伤的开孔； S4：将第二模具覆盖在功率芯片表面的源电极和栅电极之间，形成溅射种子层的掩蔽层，随后将功率芯片和第二模具一起放入溅射设备的真空腔室中进行双面种子层溅射； S5：将第二模具去除，随后将带有种子层的功率芯片浸入含有金属离子的电镀液中进行沉积，在功率芯片种子层表面形成电镀金属层，即得功率模块。

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